ENGLISH • 简体中文 • 日本語 • 한국어   最新内容 产品 方案 设计 应用 技术支持 销售联络 公司简介       [?] 业界唯一的单片、表贴、非易失性SRAM模块 编者按：Dallas Semiconductor采用创新封装技术的NVSRAM单芯片模块是业界首款适用于标准安装设备及回流焊工艺的芯片。与目前使用的两片式表贴方案不同，整个DS2030/DS2045单芯片模块可采用回流焊工艺，无需手工安装电池帽(battery-cap)附件。与两片式方案相比，单芯片架构使得整个NVSRAM装置更可靠，更耐冲击振动。该单芯片模块与Maxim公司的双芯片PowerCap®模块引脚兼容。因此，用户无需修改PCB就可进行升级，从而充分利用单芯片结构的优点。 DALLAS，TX，2005年5月3日。Dallas Semiconductor (NASDAQ: MXIM)推出业界首款唯一采用单芯片表贴封装的非易失性SRAM模块DS2030/DS2045。单芯片NVSRAM典型应用于POS终端、RAID/SAN、服务器、电子游戏机、工业控制/PLC、数字示波器以及网络集线器/路由器等。 与目前的两片式表贴封装形式相比，这种采用创新封装形式的新型单芯片架构可为NVSRAM用户提供以下三个主要优点。第一，整个模块可以采用标准安装设备及回流焊工艺处理。回流焊完成后，可用水基溶液对模块进行清洗，无需特殊防护。第二，无需手工安装电池帽附件，降低了总安装成本。第三，由于单芯片模块没有两个芯片间的连接器/弹簧片，因此可改善其可靠性，具有更高的抗冲击振动能力。 DS2030/DS2045单芯片模块是完全静态的非易失存储器，除带有可承受回流焊的电池外，其架构和功能与Maxim公司现有的NVSRAM模块类似。这些模块的智能电路持续监视主电源电压是否处于允许范围内。当主电源超出容限时，写保护和数据保留功能被无条件使能以防止数据丢失。单片NVSRAM可替代SRAM、EEPROM或Flash存储器。与其它存储器技术不同，DS2030/DS2045对执行写周期的次数没有限制，而且与微处理器接口无需额外的支持电路。 该系列中的所有单芯片模块均工作在工业级温度范围(-40°C至+85°C)。所有模块均具有相同尺寸和256焊球BGA封装，因而无需重新设计PCB即可在设计中按需增加RAM容量。此外，单芯片、3.3V/5V供电的SRAM模块将于2005年2月供货，其容量为32k x 8位至1M x 8位，并带有可选择的实时时钟(RTC)。 型号 存储器容量 (bits) RTC 供电电源 (V) DS2030 32k x 8   3.3V, 5V DS2045 128k x 8   3.3V, 5V DS2050* 512k x 8   3.3V, 5V DS2065* 1M x 8   3.3V, 5V DS3045* 128k x 8 x 3.3V, 5V DS3050* 512k x 8 x 3.3V, 5V DS3065* 1M x 8 x 3.3V, 5V PowerCap是Dallas Semiconductor Corp.的注册商标。 *未来产品，供货情况请与工厂联系。 联系编辑： 客户服务： 86 10 62115199 附加说明： DS2045AB, DS2045Y  - 快速浏览数据资料  - 数据资料全文 (PDF)  - 产品广告 (PDF) 高分辨率图片：       隐私权政策  •  法律声明       © 2008 Maxim Integrated Products, Dallas Semiconductor版权所有