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标题/型号 |
关键优势 |
| QV |
超低功耗篡改检测电路,带有无痕迹存储器 DS3655

| 具有安全、防篡改检测、加密存储功能的单芯片方案,发生篡改事件时擦除加密数据 |
| QV |
NV SRAM控制器,带有实时时钟和篡改检测 DS3605

| 具有安全、防篡改检测、加密存储功能的单芯片方案,发生篡改事件时擦除加密数据 |
| QV PDF |
3.3V、单芯片、16Mb非易失SRAM DS2070W

| 业内首款、也是唯一的单芯片、可回流焊接的NV SRAM模块 |
| QV PDF |
3.3V、单芯片、1Mb非易失SRAM,带有时钟 DS3045W

| DS3045W 3.3V单芯片1M非易失SRAM,集成RTC |
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3.3V、单芯片、256kb非易失SRAM,带有时钟 DS3030W

| DS3030W 3.3V单芯片256k非易失SRAM,集成RTC |
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3.3V、单芯片、1Mb非易失SRAM DS2045L

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3.3V、单芯片、256kb非易失SRAM DS2030L

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3.3V、单芯片、8Mb非易失SRAM,带有时钟 DS3065W

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3.3V、单芯片、4Mb非易失SRAM,带有时钟 DS3050W

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3.3V、单芯片、16Mb非易失SRAM,带有时钟 DS3070W

| 业内首款、也是唯一的单芯片、可回流焊接的NV SRAM模块 |
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3.3V、单芯片、8Mb非易失SRAM DS2065W

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| QV PDF |
3.3V、单芯片、4Mb非易失SRAM DS2050W

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3.3V、单芯片、1Mb非易失SRAM DS2045W

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3.3V、单芯片、256kb非易失SRAM DS2030W

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单芯片、256k位非易失SRAM DS2030AB, DS2030Y

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单芯片、1M非易失SRAM DS2045AB, DS2045Y

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3.3V、8Mb非易失SRAM DS1265W

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Y2K兼容、非易失时钟RAM DS1747, DS1747P

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Y2K兼容、非易失时钟RAM DS1746, DS1746P

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8M非易失SRAM DS1265AB, DS1265Y

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电池管理器芯片 DS1259

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128k x 16非易失SRAM DS1258AB, DS1258Y

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4096k非易失SRAM,带有隐含时钟 DS1251, DS1251P

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4096k非易失SRAM DS1250AB, DS1250Y

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3.3V、4096k非易失SRAM DS1250W

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1024k非易失SRAM,带有隐含时钟 DS1248, DS1248P

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1024k非易失SRAM DS1245AB, DS1245Y

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3.3V、1024k非易失SRAM DS1245W

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256k非易失SRAM DS1230AB, DS1230Y

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3.3V、256k非易失SRAM DS1230W

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智能插座16k/64k DS1213B

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