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标题/型号 |
关键优势 |
| QV |
带有RTC的8k x 8安全存储器,可设置防篡改检测等级 DS3665

| 业内首款8kB安全存储器,具有防篡改响应层 |
| QV |
带有RTC的1k x 8安全存储器,可设置防篡改检测等级 DS3644

| 业内首款安全存储器,具有防篡改响应层 |
| QV |
NV SRAM控制器、RTC及监控电路,带有篡改检测 DS3650

| 具有安全、防篡改检测的单芯片方案,发生篡改事件时擦除加密数据 |
| QV |
安全监控电路,带有64B电池备份、加密SRAM DS3600

| 具有安全、防篡改检测、加密存储功能的单芯片方案,发生篡改事件时擦除加密数据 |
| QV PDF |
3.3V、单芯片、1Mb非易失SRAM,带有时钟 DS3045W

| DS3045W 3.3V单芯片1M非易失SRAM,集成RTC |
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3.3V、单芯片、256kb非易失SRAM,带有时钟 DS3030W

| DS3030W 3.3V单芯片256k非易失SRAM,集成RTC |
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3.3V、单芯片、1Mb非易失SRAM DS2045L

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3.3V、单芯片、256kb非易失SRAM DS2030L

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3.3V、单芯片、16Mb非易失SRAM,带有时钟 DS3070W

| 业内首款、也是唯一的单芯片、可回流焊接的NV SRAM模块 |
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3.3V、单芯片、1Mb非易失SRAM DS2045W

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3.3V、单芯片、256kb非易失SRAM DS2030W

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单芯片、256k位非易失SRAM DS2030AB, DS2030Y

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单芯片、1M非易失SRAM DS2045AB, DS2045Y

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1024k非易失SRAM DS1245AB, DS1245Y

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3.3V、1024k非易失SRAM DS1245W

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256k非易失SRAM DS1230AB, DS1230Y

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3.3V、256k非易失SRAM DS1230W

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