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标题/型号 |
关键优势 |
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3.3V、26通道、三态传输门电路 DS3690

| 业内集成度最高的传输门电路,用于高密度SRAMS |
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带有RTC的8k x 8安全存储器,可设置防篡改检测等级 DS3665

| 业内首款8kB安全存储器,具有防篡改响应层 |
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带有RTC的1k x 8安全存储器,可设置防篡改检测等级 DS3644

| 业内首款安全存储器,具有防篡改响应层 |
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超低功耗篡改检测电路,带有无痕迹存储器 DS3655

| 具有安全、防篡改检测、加密存储功能的单芯片方案,发生篡改事件时擦除加密数据 |
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NV SRAM控制器、RTC及监控电路,带有篡改检测 DS3650

| 具有安全、防篡改检测的单芯片方案,发生篡改事件时擦除加密数据 |
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I²C安全监控电路,带有1kB电池备份、加密SRAM DS3640

| 具有安全、防篡改检测、加密存储功能的单芯片方案,发生篡改事件时擦除加密数据 |
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40V、超低静态电流线性稳压器,6引脚TDFN/8引脚SO封装 MAX15006, MAX15007

| 静态电流低至9µA的线性稳压器,可理想用于汽车产品中的常备电源 |
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3.3V、单芯片、16Mb非易失SRAM DS2070W

| 业内首款、也是唯一的单芯片、可回流焊接的NV SRAM模块 |
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安全监控电路,带有64B电池备份、加密SRAM DS3600

| 具有安全、防篡改检测、加密存储功能的单芯片方案,发生篡改事件时擦除加密数据 |
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3.3V、单芯片、1Mb非易失SRAM DS2045L

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3.3V、单芯片、256kb非易失SRAM DS2030L

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3.3V、单芯片、8Mb非易失SRAM,带有时钟 DS3065W

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3.3V、单芯片、4Mb非易失SRAM,带有时钟 DS3050W

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3.3V、单芯片、16Mb非易失SRAM,带有时钟 DS3070W

| 业内首款、也是唯一的单芯片、可回流焊接的NV SRAM模块 |
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3.3V、单芯片、8Mb非易失SRAM DS2065W

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3.3V、单芯片、4Mb非易失SRAM DS2050W

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3.3V、单芯片、1Mb非易失SRAM DS2045W

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单芯片、256k位非易失SRAM DS2030AB, DS2030Y

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单芯片、1M非易失SRAM DS2045AB, DS2045Y

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3.3V、8Mb非易失SRAM DS1265W

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3.3V、2048k非易失SRAM DS1249W

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3.3V、16Mb非易失SRAM DS1270W

| 3.3V非易失SRAM,提供16Mb存储容量 |
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Y2K兼容、非易失时钟RAM DS1743, DS1743P

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4M、非易失、Y2K兼容的时钟RAM DS1557

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1M、非易失、Y2K兼容的时钟RAM DS1556, DS1556P

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256k非易失、Y2K兼容的时钟RAM DS1554

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4096k非易失SRAM,带有电池监视器 DS1350AB, DS1350Y

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1024k非易失SRAM,带有电池监视器 DS1345AB, DS1345Y

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256k非易失SRAM,带有电池监控器 DS1330AB, DS1330Y

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16M非易失SRAM DS1270AB, DS1270Y

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8M非易失SRAM DS1265AB, DS1265Y

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128k x 16非易失SRAM DS1258AB, DS1258Y

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4096k非易失SRAM DS1250AB, DS1250Y

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3.3V、4096k非易失SRAM DS1250W

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2048k非易失SRAM DS1249AB, DS1249Y

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1024k非易失SRAM DS1245AB, DS1245Y

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3.3V、1024k非易失SRAM DS1245W

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256k非易失SRAM DS1230AB, DS1230Y

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3.3V、256k非易失SRAM DS1230W

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64k非易失SRAM DS1225AB, DS1225AD

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16k非易失SRAM DS1220AB, DS1220AD

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