|
|
| 显示 |
标题/型号 |
关键优势 |
| QV |
超低功耗篡改检测电路,带有无痕迹存储器 DS3655

| 具有安全、防篡改检测、加密存储功能的单芯片方案,发生篡改事件时擦除加密数据 |
| QV |
NV SRAM控制器、RTC及监控电路,带有篡改检测 DS3650

| 具有安全、防篡改检测的单芯片方案,发生篡改事件时擦除加密数据 |
| QV |
兼容于SPI™的安全监控电路,带有1kB无痕迹、电池备份的密钥保护SRAM DS3641

| 具有安全、防篡改检测、加密存储功能的单芯片方案,发生篡改事件时擦除加密数据 |
| QV |
NV SRAM控制器,带有实时时钟和篡改检测 DS3605

| 具有安全、防篡改检测、加密存储功能的单芯片方案,发生篡改事件时擦除加密数据 |
| QV PDF |
3.3V、单芯片、16Mb非易失SRAM DS2070W

| 业内首款、也是唯一的单芯片、可回流焊接的NV SRAM模块 |
| QV |
安全监控电路,带有64B无痕迹、电池备份的加密SRAM DS3600

| 具有安全、防篡改检测、加密存储功能的单芯片方案,发生篡改事件时擦除加密数据 |
| QV PDF |
3.3V、单芯片、1Mb非易失SRAM,带有时钟 DS3045W

| DS3045W 3.3V单芯片1M非易失SRAM,集成RTC |
| QV PDF |
3.3V、单芯片、256kb非易失SRAM,带有时钟 DS3030W

| DS3030W 3.3V单芯片256k非易失SRAM,集成RTC |
| QV PDF |
3.3V、单芯片、16Mb非易失SRAM,带有时钟 DS3070W

| 业内首款、也是唯一的单芯片、可回流焊接的NV SRAM模块 |
| QV PDF |
3.3V、单芯片、4Mb非易失SRAM DS2050W

| |
| QV PDF |
3.3V、单芯片、1Mb非易失SRAM DS2045W

| |
| QV PDF |
3.3V、单芯片、256kb非易失SRAM DS2030W

| |
| QV PDF |
单芯片、256k位非易失SRAM DS2030AB, DS2030Y

| |
| QV PDF |
单芯片、1M非易失SRAM DS2045AB, DS2045Y

| |
| QV PDF |
3.3V、2048kb非易失SRAM DS1249W

| |
| QV PDF |
3.3V、16Mb非易失SRAM DS1270W

| 3.3V非易失SRAM,提供16Mb存储容量 |
| QV PDF |
4M、非易失、Y2K兼容的时钟RAM DS1557

| |
| QV PDF |
1M、非易失、Y2K兼容的时钟RAM DS1556, DS1556P

| |
| QV PDF |
4096k非易失SRAM DS1250AB, DS1250Y

| |
| QV PDF |
3.3V、4096k非易失SRAM DS1250W

| |
| QV PDF |
1024k非易失SRAM DS1245AB, DS1245Y

| |
| QV PDF |
3.3V、1024k非易失SRAM DS1245W

| |
| QV PDF |
256k非易失SRAM DS1230AB, DS1230Y

| |
| QV PDF |
3.3V、256k非易失SRAM DS1230W

| |