DS28EC20
20Kb 1-Wire EEPROM
20Kb串行EEPROM，通过单触点1-Wire接口操作
数据资料
完整的数据资料
(PDF, 456kB) 中文 下载
概述
DS28EC20是一款20480位、1-Wire® EEPROM，分为80个256位的存储器页。器件提供一个额外的页用于控制功能。数据被写入一个32字节暂存器，经过校验后，复制到EEPROM存储器。器件具有一个特殊功能，可以将8个存储器页设置为写保护或EPROM仿真模式，在EPROM仿真模式下各个位仅能由1修改为0状态。DS28EC20通过单个触点的1-Wire总线进行通信，遵循标准1-Wire协议。各个器件均具有不可修改的、64位唯一ROM注册码，由工厂光刻入芯片。该注册码可用于在多节点1-Wire网络环境中寻址器件。
关键特性
应用/使用
20480位非易失性(NV) EEPROM被分为80个256位页
独立的一块8页存储器(块)可以设置为永久的写保护或OTP EPROM仿真模式(“写为0”)
读写访问高度向后兼容以前的器件(例如，DS2433)
256位暂存器，遵循严格的读/写协议，确保数据传输的完整性
+25°C温度下200k擦写次数
工厂编程的64位唯一注册码，确保无错的器件选择和绝对的器件识别
开关滞回和滤波优化噪声性能
使用1-Wire协议以15.4kbps或125kbps速率与主机进行通信
低成本TO-92封装
工作范围：5V ±5%，-40°C至+85°C
I/O引脚具有IEC 1000-4-2等级4 ESD保护(典型值：8kV接触，15kV气隙)
机架系统中的卡/模块识别 设备识别 IEEE 1451.4传感器 墨盒/色带盒ID 医学与工业传感器识别/校准 PCB识别 智能电缆
Key Specifications:
Memory (EPROM, EEPROM, ROM, NV SRAM)
Part Number
Memory Type
Memory Size
Bus Type
Real-Time Clock
DIP with Internal Battery
PowerCap Package
Battery Monitor
With GPIO
Price**
DS28EC20
EEPROM
4K x 1
1-Wire
No
No
No
No
No
$1.35 @ 1k
See All Memory (EPROM, EEPROM, ROM, NV SRAM) (54)
Notes:
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U.S. dollars and subject to change. Quantity pricing may vary
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图表
典型工作电路
定购信息
注：
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型号尾缀：T或T&R = 卷带; + = RoHS/无铅; # = RoHS/无铅豁免权。详细信息请参考：完整的数据资料 或型号命名规则 。
* “封装代码/变更”提供产品使用的变更信息。注意：型号尾缀中的“+”、“#”和“-”表示器件的RoHS状况，封装图上可能显示不同的尾缀字符。
器件：
1-4
of
4
免费样品
采购
封装：
类型 引脚 占位面积
封装图编码/变更 *
温度
RoHS/无铅？
DS28EC20+
TO92；3引脚；20mm²
21-0248 (PDF)
*
-40°C至+85°C
RoHS/无铅：无铅
材料分析
DS28EC20+T
TO92；3引脚；20mm²
21-0248 (PDF)
*
-40°C至+85°C
RoHS/无铅：无铅
材料分析
DS28EC20P+
TSOC；6引脚；18mm²
21-0382 (PDF)
*
-40°C至+85°C
RoHS/无铅：无铅
材料分析
DS28EC20P+T
TSOC；6引脚；18mm²
21-0382 (PDF)
*
-40°C至+85°C
RoHS/无铅：无铅
材料分析
2009-04-01
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