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存储器:易失、非易失(NV)、多功能存储产品
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DS2070W
3.3V、单芯片、16Mb非易失SRAM
业内首款、也是唯一的单芯片、可回流焊接的NV SRAM模块
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概述
DS2070W是16Mb、可回流焊非易失(NV) SRAM,该器件包括静态RAM (SRAM),NV控制器,以及内置的可充电锂锰(ML)电池。该系列器件封装在一个表面安装的256焊球BGA模块中。V
CC
加电时,模块对ML电池充电,同时使用外部电源为SRAM供电,并允许修改SRAM的内容。当V
CC
掉电或超出容限时,控制器立即对SRAM的内容实施写保护,并由电池为SRAM供电。DS2070W还含有一个电源监视器输出(/RST),可用于微处理器(CPU)监控。
关键特性
应用/使用
单片、可回流、27mm x 27mm的BGA封装
内置ML电池和充电器
当V
CC
超出容限后,无条件对SRAM实施写保护
当V
CC
失效后自动切换至电池供电
内置电源监视器检测电源是否低于V
CC
额定值(3.3V)
复位输出可用作微处理器(CPU)监控
工业级温度范围(-40°C至+85°C)
通过美国保险商实验室协会(UL®)认证
数据采集系统
烟雾报警器
游戏机PLC
工业控制器
POS终端
RAID系统和服务器
路由器/交换机
应用笔记
App Note 202: NV SRAM Frequently Asked Questions
- DS2070W (English only)
App Note 2077: Using Dallas Semiconductor NV SRAMs in RAID Applications
- DS2070W (English only)
应用笔记3693:Maxim为什么选择设计单片NV SRAM模块
- DS2070W
App Note 3759: Timing Considerations When Using NVSRAM
- DS2070W (English only)
App Note 3954: Characteristics of Manganese Lithium (ML) Batteries
- DS2070W (English only)
App Note 4289: Low-Temperature Data Retention in Nonvolatile SRAM
- DS2070W (English only)
评估板
无
可靠性报告
申请可靠性报告:
DS2070W
(English only)
通过美国保险商实验室协会(UL®)认证
软件/模型
无
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型号命名规则
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2006-11-30
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2006-09-11
本页最后一次更新: 2006-12-07
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