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概述

DS2070W是16Mb、可回流焊非易失(NV) SRAM，该器件包括静态RAM (SRAM)，NV控制器，以及内置的可充电锂锰(ML)电池。该系列器件封装在一个表面安装的256焊球BGA模块中。VCC加电时，模块对ML电池充电，同时使用外部电源为SRAM供电，并允许修改SRAM的内容。当VCC掉电或超出容限时，控制器立即对SRAM的内容实施写保护，并由电池为SRAM供电。DS2070W还含有一个电源监视器输出(/RST)，可用于微处理器(CPU)监控。

关键特性		应用/使用
单片、可回流、27mm x 27mm的BGA封装 内置ML电池和充电器 当VCC超出容限后，无条件对SRAM实施写保护 当VCC失效后自动切换至电池供电 内置电源监视器检测电源是否低于VCC额定值(3.3V) 复位输出可用作微处理器(CPU)监控 工业级温度范围(-40°C至+85°C) 通过美国保险商实验室协会(UL®)认证		数据采集系统 烟雾报警器 游戏机PLC 工业控制器 POS终端 RAID系统和服务器 路由器/交换机

应用笔记

App Note 202: NV SRAM Frequently Asked Questions - DS2070W (English only) App Note 2077: Using Dallas Semiconductor NV SRAMs in RAID Applications - DS2070W (English only) 应用笔记3693：Maxim为什么选择设计单片NV SRAM模块 - DS2070W App Note 3759: Timing Considerations When Using NVSRAM - DS2070W (English only) App Note 3954: Characteristics of Manganese Lithium (ML) Batteries - DS2070W (English only) App Note 4289: Low-Temperature Data Retention in Nonvolatile SRAM - DS2070W (English only)

评估板

无

可靠性报告

申请可靠性报告： DS2070W (English only) 通过美国保险商实验室协会(UL®)认证

软件/模型

无

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注： 购买产品，请访问：http://www.maxim-ic.com.cn/sales。 没有找到您所需要的器件？请咨询我们的应用工程师。我们的专家会帮助您找到合适的器件，通常在一个工作日内回复。 型号尾缀：T或T&R = 卷带; + = RoHS/无铅; # = RoHS/无铅豁免权。详细信息请参考：完整的数据资料或型号命名规则。 * “封装代码/变更”提供产品使用的变更信息。注意：型号尾缀中的“+”、“#”和“-”表示器件的RoHS状况，封装图上可能显示不同的尾缀字符。

该产品已停止供货。

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新品发布 2006-11-30

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