|
|
|
•
•
•
|
|
|
|
 |
|
DS28E01-100
1K位、保护型1-Wire EEPROM，带有SHA-1引擎
为外设和系统提供低成本世界级安全认证
|
概述
|
|
DS28E01-100将1024位EEPROM与符合ISO/IEC 10118-3安全散列算法(SHA-1)的质询响应安全认证结合在一起。1024位EEPROM阵列被配置为四页，每页256位，且带有64位暂存器以执行写操作。所有的存储页面都可以设置为写保护模式，并可将其中某页置于EPROM仿真模式，即将数据位只能从1变为0。每片DS28E01-100带有唯一的64位ROM注册码，由工厂刻入芯片。DS28E01-100通过单触点1-Wire®串行接口进行通信，遵循Dallas Semiconductor公司的1-Wire协议，在多个从器件的1-Wire网络中充当节点地址。
|
| 关键特性 |
|
应用/使用 |
- 1024位EEPROM存储器，分为4页，每页256位
- 内置512位SHA-1引擎，用于计算160位信息认证码(MAC)或生成密钥
- 写访问需要已知密钥, 可计算和发送256位信息认证码(MAC)或生成密钥
- 四个存储器页中的页0、3或全部页面可由用户编程设置为写保护
- 页1可被置于用户可编程的OTP EPROM仿真模式(“写为0”)
- 与主机间的通信通过单根数字线即可进行，遵循1-Wire协议，通信速率为15.3kbps或125kbps
- 切换点滞回和滤波优化了抗噪声性能
- 可在-40°C至+85°C温度范围，2.8V至5.25V宽电压范围内进行读、写操作
- 采用6引脚TSOC、2引脚SFN封装
|
|
|
| 配件/PCB识别
| | 消费品鉴别与认证
| | 墨盒/色带打印盒识别
| | 知识产权，许可权管理
| | 传感器校准与鉴别
| | 系统可编程控制
|
|
|
| Key Specifications:
Memory (EPROM, SRAM, EEPROM, ROM, NV SRAM) |
| Part Number |
Memory Type |
Memory Size |
Bus Type |
Real-Time Clock |
DIP with Internal Battery |
PowerCap Package |
Battery Monitor |
With GPIO |
Single Piece Module |
Features |
Supply Voltage (min) (V) |
Supply Voltage (max) (V) |
RoHS Available |
Package |
Smallest Available Package (max w/pins) (mm2) |
Operating Temp. Range (°C) |
|
DS28E01-100
|
EEPROM
|
1k x 1
|
1-Wire
|
No
|
No
|
No
|
No
|
No
|
No
|
|
2.8
|
5.25
|
Yes
|
TDFN/6
TSOC/6
|
10
|
-40 to +85
|
| See All Memory (EPROM, SRAM, EEPROM, ROM, NV SRAM) (69) |
| Key Specifications:
Mixed Signal Memory Devices |
| Part Number |
Memory Type |
Memory Size |
Bus Type |
Features |
VCC (V) |
Package |
Smallest Available Package (max w/pins) (mm2) |
|
DS28E01-100
|
EEPROM
|
1k x 1
|
1-Wire
|
|
2.8 to 5.25
|
TDFN/6
TSOC/6
|
10
|
| See All Mixed Signal Memory Devices (9) |
2008-07-02
本页最后一次更新: 2008-07-02
|
|
|
隐私权政策
•
法律声明
© 2008 Maxim Integrated Products, Dallas Semiconductor版权所有
|
|
|
|
|
下载