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概述

DS2045L是1Mb、可进行回流焊接的非易失(NV) SRAM，由静态RAM (SRAM)、NV控制器和内部可充电锂锰(ML)电池构成。这些元件封装在表贴模块内，采用256焊球BGA封装。模块的VCC上电后，ML电池开始充电，SRAM由外部电源供电，可以修改SRAM内容。VCC断电或超出容限范围时，控制器对SRAM的内容进行写保护，并由电池对SRAM供电。DS2045L还带有电源监测输出、/RST指示，复位输出可用于CPU监控功能。

关键特性		应用/使用
单芯片、可回流焊接的27mm x 27mm BGA封装 内置ML电池和充电器 VCC超出容限范围后，对SRAM进行无条件的写保护 VCC电源失效后，自动切换到电池供电 内部电源监控电路，检查电源是否低于标称VCC (3.3V) 复位输出可用于CPU监控 工业级温度范围(-40°C至+85°C) 通过美国保险商实验室协会(UL®)认证		数据采集系统 烟雾报警器 游戏机 工业控制器 PLC POS终端 RAID系统和服务器 路由器/交换机

图表

典型工作电路

应用笔记

App Note 202: NV SRAM Frequently Asked Questions - DS2045L (English only) App Note 2077: Using Dallas Semiconductor NV SRAMs in RAID Applications - DS2045L (English only) 应用笔记3693：Maxim为什么选择设计单片NV SRAM模块 - DS2045L App Note 3759: Timing Considerations When Using NVSRAM - DS2045L (English only)

评估板

无

可靠性报告

可靠性报告： DS2045L.pdf (English only) 通过美国保险商实验室协会(UL®)认证

软件/模型

无

定购信息

注： 购买产品，请访问：http://www.maxim-ic.com.cn/sales。 没有找到您所需要的器件？请咨询我们的应用工程师。我们的专家会帮助您找到合适的器件，通常在一个工作日内回复。 型号尾缀：T或T&R = 卷带; + = RoHS/无铅; # = RoHS/无铅豁免权。详细信息请参考：完整的数据资料或型号命名规则。 * “封装代码/变更”提供产品使用的变更信息。注意：型号尾缀中的“+”、“#”和“-”表示器件的RoHS状况，封装图上可能显示不同的尾缀字符。

该产品已停止供货。

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