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概述

DS2030L是一款256kb、兼容回流焊工艺的非易失(NV) SRAM，由一个静态RAM (SRAM)，一个NV控制器和一个内部可充电锂锰电池(ML)构成。这些元件封装在一个256球BGA表面贴模块中。当VCC加在模块上时，它即对ML电池充电，SRAM也由外部电源来供电，同时允许修改SRAM的内容。当VCC掉电或超出容限时，控制器对SRAM的内容写保护，同时改由电池对SRAM供电。DS2030L还含有一个电源监视输出，/RST，可用作微处理器的CPU监控器。

关键特性		应用/使用
单片、可回流焊、27mm x 27mm BGA封装 内置锂锰电池和充电器 VCC超出容限后，无条件地对SRAM加以写保护 VCC电源失效时，自动切换至电池供电 内部电源监视器探测低于正常VCC (3.3V)的电源失效 复位输出可用作微处理器的CPU监控器 工业级温度范围(-40°C至+85°C) 通过美国保险商实验室协会(UL®)认证		数据采集系统 烟雾报警器 游戏机 工业控制器 PLC POS终端 RAID系统和服务器 路由器/交换机

图表

典型工作电路

应用笔记

App Note 202: NV SRAM Frequently Asked Questions - DS2030L (English only) App Note 2077: Using Dallas Semiconductor NV SRAMs in RAID Applications - DS2030L (English only) 应用笔记3693：Maxim为什么选择设计单片NV SRAM模块 - DS2030L App Note 3759: Timing Considerations When Using NVSRAM - DS2030L (English only)

评估板

无

可靠性报告

可靠性报告： DS2030L.pdf (English only) 通过美国保险商实验室协会(UL®)认证

软件/模型

无

定购信息

注： 购买产品，请访问：http://www.maxim-ic.com.cn/sales。 没有找到您所需要的器件？请咨询我们的应用工程师。我们的专家会帮助您找到合适的器件，通常在一个工作日内回复。 型号尾缀：T或T&R = 卷带; + = RoHS/无铅; # = RoHS/无铅豁免权。详细信息请参考：完整的数据资料或型号命名规则。 * “封装代码/变更”提供产品使用的变更信息。注意：型号尾缀中的“+”、“#”和“-”表示器件的RoHS状况，封装图上可能显示不同的尾缀字符。

该产品已停止供货。

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