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DS3070W
3.3V、单芯片、16Mb非易失SRAM,带有时钟

业内首款、也是唯一的单芯片、可回流焊接的NV SRAM模块


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数据资料
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概述
DS3070W由一个静态RAM、一个非易失(NV)控制器、一个2000年兼容的实时时钟(RTC)和一个内部可充电锂锰(ML)电池组成。这些组件封装在一个表面安装的256焊球BGA模块中。VCC加电时,模块对ML电池充电,同时使用外部电源为时钟和SRAM供电,并允许修改时钟寄存器和SRAM的内容。当VCC掉电或超出容限时,控制器即对存储器内容实施写保护,并改由电池为时钟和SRAM供电。DS3070W还含有一个电源监视器输出(/RST)和一个用户可编程的中断输出(/IRQ/FT)。

关键特性   应用/使用
  • 单片、可回流焊、27mm x 27mm BGA封装
  • 集成实时时钟
  • 内置锂锰电池和充电器
  • VCC超出容限后无条件对SRAM实施写保护
  • VCC失效后自动切换至电池供电
  • 内部电源检测器监测电源是否低于VCC额定值(3.3V)
  • 复位输出可用作微处理器(CPU)监控
  • 工业级温度范围(-40°C至+85°C)
  • 经过UL认证
  • 通过美国保险商实验室协会(UL®)认证

     
  • 数据采集系统
  • 烟雾报警器
  • 游戏机
  • 工业控制器
  • PLC
  • POS终端
  • RAID系统和服务器
  • 路由器/交换机

    Key Specifications:   Memory (EPROM, EEPROM, ROM, NV SRAM)
    Part Number Memory Type Memory Size Bus Type Real-Time Clock DIP with Internal Battery PowerCap Package Battery Monitor With GPIO Single Piece Module Features Supply Voltage (min) (V) Supply Voltage (max) (V) Price**
    DS3070W  NV SRAM 2M x 8 Parallel Yes No No No No Yes
    µP Reset
    Periodic Interrupt
    3 3.6 $48.93 @ 1k
    See All Memory (EPROM, EEPROM, ROM, NV SRAM) (69)

    Key Specifications:   Timekeeping & Real-Time Clocks
    Part Number Functions Time Format (hh = sec/100) Date Format Interface Supply Voltage (V) Memory Type Memory Size (Bytes) Number of Time of Day Alarms Price**
    DS3070W 
    Watchdog Timekeeper
    HH:MM:SS YYYY-MM-DD Bytewide 3.3 NV SRAM 2M 1 $48.93 @ 1k
    See All Timekeeping & Real-Time Clocks (86)
    Notes:
    **This pricing is BUDGETARY, for comparing similar parts. Prices are in U.S. dollars and subject to change. Quantity pricing may vary substantially and international prices may differ due to local duties, taxes, fees, and exchange rates. For volume-specific prices and delivery, please see the price and availability page or contact an authorized distributor.

    图表
    DS3070W:典型工作电路
    典型工作电路

    应用笔记
  • App Note 202: NV SRAM Frequently Asked Questions - DS3070W (English only)
  • App Note 2077: Using Dallas Semiconductor NV SRAMs in RAID Applications - DS3070W (English only)
  • App Note 3118: Replacing a PowerCap Module with a Reflowable BGA Module - DS3070W (English only)
  • 应用笔记3693:Maxim为什么选择设计单片NV SRAM模块 - DS3070W
  • App Note 3759: Timing Considerations When Using NVSRAM - DS3070W (English only)
  • App Note 3954: Characteristics of Manganese Lithium (ML) Batteries - DS3070W (English only)
  • App Note 4289: Low-Temperature Data Retention in Nonvolatile SRAM - DS3070W (English only)

    评估板

    设计指南
  • 非易失存储器 (PDF)

    可靠性报告
  • 申请可靠性报告: (English only)
  • 通过美国保险商实验室协会(UL®)认证

    软件/模型

    定购信息
    注:

    1. 购买产品,请访问:http://www.maxim-ic.com.cn/sales
    2. 没有找到您所需要的器件?请咨询我们的应用工程师。我们的专家会帮助您找到合适的器件,通常在一个工作日内回复。
    3. 型号尾缀:T或T&R = 卷带; + = RoHS/无铅; # = RoHS/无铅豁免权。详细信息请参考:完整的数据资料型号命名规则
    4. * “封装代码/变更”提供产品使用的变更信息。注意:型号尾缀中的“+”、“#”和“-”表示器件的RoHS状况,封装图上可能显示不同的尾缀字符。


    器件: 1-1 of 1

    DS3070W 免费样品 采购
    封装: 类型 引脚 占位面积
      封装图编码/变更 *
    温度 RoHS/无铅?
    材料分析
    DS3070W-100#  
    0引脚;

    使用封装码/变更:SPM#5*
    -40°C至+85°C RoHS/无铅:RoHS认证
    材料分析

    更多信息
  • 新品发布 2006-11-30 

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    2006-10-17
    本页最后一次更新: 2006-10-17



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