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DS3070W
3.3V、单芯片、16Mb非易失SRAM,带有时钟

业内首款、也是唯一的单芯片、可回流焊接的NV SRAM模块


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概述
DS3070W由一个静态RAM、一个非易失(NV)控制器、一个2000年兼容的实时时钟(RTC)和一个内部可充电锂锰(ML)电池组成。这些组件封装在一个表面安装的256焊球BGA模块中。VCC加电时,模块对ML电池充电,同时使用外部电源为时钟和SRAM供电,并允许修改时钟寄存器和SRAM的内容。当VCC掉电或超出容限时,控制器即对存储器内容实施写保护,并改由电池为时钟和SRAM供电。DS3070W还含有一个电源监视器输出(/RST)和一个用户可编程的中断输出(/IRQ/FT)。

关键特性   应用/使用
  • 单片、可回流焊、27mm x 27mm BGA封装
  • 集成实时时钟
  • 内置锂锰电池和充电器
  • VCC超出容限后无条件对SRAM实施写保护
  • VCC失效后自动切换至电池供电
  • 内部电源检测器监测电源是否低于VCC额定值(3.3V)
  • 复位输出可用作微处理器(CPU)监控
  • 工业级温度范围(-40°C至+85°C)
  • 通过美国保险商实验室协会(UL®)认证

     
  • 数据采集系统
  • 烟雾报警器
  • 游戏机
  • 工业控制器
  • PLC
  • POS终端
  • RAID系统和服务器
  • 路由器/交换机

    图表
    DS3070W:典型工作电路
    典型工作电路

    应用笔记
  • App Note 202: NV SRAM Frequently Asked Questions - DS3070W (English only)
  • App Note 2077: Using Dallas Semiconductor NV SRAMs in RAID Applications - DS3070W (English only)
  • 应用笔记3693:Maxim为什么选择设计单片NV SRAM模块 - DS3070W
  • App Note 3759: Timing Considerations When Using NVSRAM - DS3070W (English only)
  • App Note 3954: Characteristics of Manganese Lithium (ML) Batteries - DS3070W (English only)
  • App Note 4289: Low-Temperature Data Retention in Nonvolatile SRAM - DS3070W (English only)

    评估板

    可靠性报告
  • 申请可靠性报告: (English only)
  • 通过美国保险商实验室协会(UL®)认证

    软件/模型

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    4. * “封装代码/变更”提供产品使用的变更信息。注意:型号尾缀中的“+”、“#”和“-”表示器件的RoHS状况,封装图上可能显示不同的尾缀字符。


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  • 新品发布 2006-11-30 

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    2006-10-17
    本页最后一次更新: 2006-10-17


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