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DS2065W
3.3V、单芯片、8Mb非易失SRAM
数据资料
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概述
DS2065W是8Mb可回流焊的非易失(NV) SRAM，由静态RAM (SRAM)、NV控制器、内部可充电锰锂(ML)电池组成。这些元件可以封装在256焊球、BGA表贴模块中。只要VCC 作用到模块上，就对ML电池充电，利用外部电源为SRAM供电，并允许修改SRAM的内容。VCC 断电或超出容许范围时，控制器对SRAM的内容写保护，并用电池为SRAM供电。DS2065W还包含电源监视输出/RST，可以用作微处理器的CPU监控。
关键特性
应用/使用
单片、可回流焊接的27mm x 27mm BGA封装
内置ML电池与充电器
VCC 超出容许范围时无条件写保护SRAM
出现VCC 电源故障时，自动切换到电池供电
内置电源监视器，用来检测低于VCC 标称值(3.3V)的电源故障
复位输出可用作微处理器的CPU监视器
工业级温度范围(-40°C至+85°C)
通过UL认证
Key Specifications:
Memory (EPROM, EEPROM, ROM, NV SRAM)
Part Number
Memory Type
Memory Size
Bus Type
Real-Time Clock
DIP with Internal Battery
PowerCap Package
Battery Monitor
With GPIO
Single Piece Module
Features
Supply Voltage (min) (V)
Supply Voltage (max) (V)
RoHS Available
Package
Operating Temp. Range (°C)
Price**
DS2065W
NV SRAM
1M x 8
Parallel
No
No
No
No
No
Yes
3
3.6
Yes
MOD/256
-40 to +85
$36.30 @ 1k
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Notes:
** This pricing is BUDGETARY, for comparing similar parts. Prices are in
U.S. dollars and subject to change. Quantity pricing may vary
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图表
典型工作电路
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型号尾缀：T或T&R = 卷带; + = RoHS/无铅; # = RoHS/无铅豁免权。详细信息请参考：完整的数据资料 或型号命名规则 。
* “封装代码/变更”提供产品使用的变更信息。注意：型号尾缀中的“+”、“#”和“-”表示器件的RoHS状况，封装图上可能显示不同的尾缀字符。
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封装：
类型 引脚 占位面积
封装图编码/变更 *
温度
RoHS/无铅？
DS2065W-100#
MOD；256引脚；
*
0°C至+70°C
RoHS/无铅：RoHS认证
材料分析
2006-10-13
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