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完整的数据资料 (PDF, 224kB) 英文 下载 英文 打开新页面 DS2065W是8Mb可回流焊的非易失(NV) SRAM，由静态RAM (SRAM)、NV控制器、内部可充电锰锂(ML)电池组成。这些元件可以封装在256焊球、BGA表贴模块中。只要VCC作用到模块上，就对ML电池充电，利用外部电源为SRAM供电，并允许修改SRAM的内容。VCC断电或超出容许范围时，控制器对SRAM的内容写保护，并用电池为SRAM供电。DS2065W还包含电源监视输出/RST，可以用作微处理器的CPU监控。

关键特性		应用/使用
单片、可回流焊接的27mm x 27mm BGA封装 内置ML电池与充电器 VCC超出容许范围时无条件写保护SRAM 出现VCC电源故障时，自动切换到电池供电 内置电源监视器，用来检测低于VCC标称值(3.3V)的电源故障 复位输出可用作微处理器的CPU监视器 工业级温度范围(-40°C至+85°C) 通过美国保险商实验室协会(UL®)认证		数据采集系统 烟雾报警器 游戏机PLC 工业控制器 POS终端 RAID系统和服务器 路由器/交换机

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