ENGLISH
•
简体中文
•
日本語
•
한국어
请输入关键词或器件型号
最新内容
产品
方案
设计
应用
技术支持
销售联络
公司简介
Maxim
>
产品
>
[
存储器:易失、非易失(NV)、多功能存储产品
]
DS2050W
3.3V、单芯片、4Mb非易失SRAM
快速浏览
技术文档
定购信息
更多信息
所有内容
数据资料
完整的数据资料
(PDF, 228kB)
英文
下载
概述
DS2050W是4Mb可回流焊的非易失(NV) SRAM,由静态RAM (SRAM)、NV控制器、内部可充电锰锂(ML)电池组成。这些元件可以封装在256焊球、BGA表贴模块中。只要V
CC
作用到模块上,就对ML电池充电,利用外部电源为SRAM供电,并允许修改SRAM的内容。V
CC
断电或超出容许范围时,控制器对SRAM的内容写保护,并用电池为SRAM供电。DS2050W还包含电源监视输出/RST,可以用作微处理器的CPU监控。
关键特性
应用/使用
单片、可回流焊接的27mm x 27mm BGA封装
内置ML电池与充电器
V
CC
超出容许范围时无条件写保护SRAM
出现V
CC
电源故障时,自动切换到电池供电
内置电源监视器,用来检测低于V
CC
标称值(3.3V)的电源故障
复位输出可用作微处理器的CPU监视器
工业级温度范围(-40°C至+85°C)
通过美国保险商实验室协会(UL®)认证
数据采集系统
烟雾报警器
游戏机PLC
工业控制器
POS终端
RAID系统和服务器
路由器/交换机
图表
典型工作电路
应用笔记
App Note 202: NV SRAM Frequently Asked Questions
- DS2050W (English only)
App Note 2077: Using Dallas Semiconductor NV SRAMs in RAID Applications
- DS2050W (English only)
应用笔记3693:Maxim为什么选择设计单片NV SRAM模块
- DS2050W
App Note 3759: Timing Considerations When Using NVSRAM
- DS2050W (English only)
App Note 3954: Characteristics of Manganese Lithium (ML) Batteries
- DS2050W (English only)
App Note 4289: Low-Temperature Data Retention in Nonvolatile SRAM
- DS2050W (English only)
评估板
无
可靠性报告
可靠性报告:
DS2050W.pdf
(English only)
通过美国保险商实验室协会(UL®)认证
软件/模型
无
定购信息
注:
购买产品,请访问:
http://www.maxim-ic.com.cn/sales
。
没有找到您所需要的器件?请咨询我们的应用工程师。
我们的专家会帮助您找到合适的器件,通常在一个工作日内回复。
型号尾缀:T或T&R = 卷带; + = RoHS/无铅; # = RoHS/无铅豁免权。详细信息请参考:
完整的数据资料
或
型号命名规则
。
*
“封装代码/变更”提供产品使用的变更信息。注意:型号尾缀中的“+”、“#”和“-”表示器件的RoHS状况,封装图上可能显示不同的尾缀字符。
该产品已停止供货。
更多信息
产品广告:
下载
相关产品
DS2065W
3.3V、单芯片、8Mb非易失SRAM
没有找到你需要的产品吗?
应用工程师帮助选型,下个工作日回复
参数搜索
应用帮助
快速浏览
技术文档
定购信息
更多信息
概述
关键特性
应用/使用
关键指标
图表
数据资料
应用笔记
设计指南
工程期刊
可靠性报告
软件/模型
评估板
价格与供货
样品
在线订购
封装信息
无铅信息
相关产品
注释、注解
评估板
2006-10-13
本页最后一次更新: 2008-08-29
•
CONTACT US: SEND US AN EMAIL
•
•
隐私权政策
•
法律声明
© 2009 Maxim Integrated Products版权所有