DS2050W 3.3V、单芯片、4Mb非易失SRAM

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DS2050W是4Mb可回流焊的非易失(NV) SRAM，由静态RAM (SRAM)、NV控制器、内部可充电锰锂(ML)电池组成。这些元件可以封装在256焊球、BGA表贴模块中。只要V_CC作用到模块上，就对ML电池充电，利用外部电源为SRAM供电，并允许修改SRAM的内容。V_CC断电或超出容许范围时，控制器对SRAM的内容写保护，并用电池为SRAM供电。DS2050W还包含电源监视输出/RST，可以用作微处理器的CPU监控。

关键特性 应用/使用

单片、可回流焊接的27mm x 27mm BGA封装
内置ML电池与充电器
V_CC超出容许范围时无条件写保护SRAM
出现V_CC电源故障时，自动切换到电池供电
内置电源监视器，用来检测低于V_CC标称值(3.3V)的电源故障
复位输出可用作微处理器的CPU监视器
工业级温度范围(-40°C至+85°C)
通过UL认证

数据采集系统
烟雾报警器
游戏机PLC
工业控制器
POS终端
RAID系统和服务器
路由器/交换机

Key Specifications: Memory (EPROM, SRAM, EEPROM, ROM, NV SRAM)

Part Number

Memory Type

Memory Size

Bus Type

Real-Time Clock

DIP with Internal Battery

PowerCap Package

Battery Monitor

With GPIO

Single Piece Module

Features

Supply Voltage (min) (V)

Supply Voltage (max) (V)

RoHS Available

Package

Smallest Available Package (max w/pins) (mm²)

Operating Temp. Range (°C)

Price^**

DS2050W

NV SRAM

512k x 8

Parallel

Yes

•

µP Reset

3.6

Yes

MOD/256

729

-40 to +85

$32.36 @ 1k

See All Memory (EPROM, SRAM, EEPROM, ROM, NV SRAM) (69)

Notes:
^**This pricing is BUDGETARY, for comparing similar parts. Prices are in U.S. dollars and subject to change. Quantity pricing may vary substantially and international prices may differ due to local duties, taxes, fees, and exchange rates. For volume-specific prices and delivery, please see the price and availability page or contact an authorized distributor.

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DS2050W:典型工作电路
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2006-10-13
本页最后一次更新: 2006-12-07

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