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DS2045W
3.3V、单芯片、1Mb非易失SRAM
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概述
DS2045W是1Mb,可回流焊的非易失(NV) SRAM,由一个静态RAM (SRAM),一个NV控制器和一个内部可充电锰锂(ML)电池构成。这些元件封装在表贴模块内,采用256焊球BGA封装。模块VCC 上电后,ML电池开始充电,SRAM由外部电源供电,SRAM内容可修改。VCC 断电或超出容限时,控制器对SRAM的内容进行写保护,并由电池对SRAM供电。DS2045W还含有电源监控输出,/RST指示,可用作微处理器的CPU监视器。
关键特性
应用/使用
单片,可回流焊,27mm x 27mm BGA封装
内部ML电池和充电器
VCC 超出容限后,对SRAM无条件进行写保护
VCC 电源失效后,自动切换到电池供电
内部电源监控,检测电源是否低于标称VCC (3.3V)
复位输出可用作微处理器的CPU监视器
工业级温度范围(-40°C至+85°C)
通过UL认证
Key Specifications:
Memory (EPROM, EEPROM, ROM, NV SRAM)
Part Number
Memory Type
Memory Size
Bus Type
Real-Time Clock
DIP with Internal Battery
PowerCap Package
Battery Monitor
With GPIO
Single Piece Module
Features
Supply Voltage (min) (V)
Supply Voltage (max) (V)
RoHS Available
Package
Operating Temp. Range (°C)
Price**
DS2045W
NV SRAM
128K x 8
Parallel
No
No
No
No
No
Yes
3
3.6
Yes
MOD/256
-40 to +85
$23.61 @ 1k
See All Memory (EPROM, EEPROM, ROM, NV SRAM) (69)
Notes:
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型号尾缀:T或T&R = 卷带; + = RoHS/无铅; # = RoHS/无铅豁免权。详细信息请参考:完整的数据资料 或型号命名规则 。
* “封装代码/变更”提供产品使用的变更信息。注意:型号尾缀中的“+”、“#”和“-”表示器件的RoHS状况,封装图上可能显示不同的尾缀字符。
器件:
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DS2045W
免费样品
采购
封装:
类型 引脚 占位面积
封装图编码/变更 *
温度
RoHS/无铅? 材料分析
DS2045W-100#
MOD;256引脚;
Dwg: 56-G6031-001
使用封装码/变更:SPM#2*
-40°C至+85°C
RoHS/无铅:RoHS认证
材料分析
2006-10-13
本页最后一次更新: 2006-12-07
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