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DS2045W
3.3V、单芯片、1Mb非易失SRAM
数据资料
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概述
DS2045W是1Mb，可回流焊的非易失(NV) SRAM，由一个静态RAM (SRAM)，一个NV控制器和一个内部可充电锰锂(ML)电池构成。这些元件封装在表贴模块内，采用256焊球BGA封装。模块VCC 上电后，ML电池开始充电，SRAM由外部电源供电，SRAM内容可修改。VCC 断电或超出容限时，控制器对SRAM的内容进行写保护，并由电池对SRAM供电。DS2045W还含有电源监控输出，/RST指示，可用作微处理器的CPU监视器。
关键特性
应用/使用
单片，可回流焊，27mm x 27mm BGA封装
内部ML电池和充电器
VCC 超出容限后，对SRAM无条件进行写保护
VCC 电源失效后，自动切换到电池供电
内部电源监控，检测电源是否低于标称VCC (3.3V)
复位输出可用作微处理器的CPU监视器
工业级温度范围(-40°C至+85°C)
通过UL认证
Key Specifications:
Memory (EPROM, EEPROM, ROM, NV SRAM)
Part Number
Memory Type
Memory Size
Bus Type
Real-Time Clock
DIP with Internal Battery
PowerCap Package
Battery Monitor
With GPIO
Single Piece Module
Features
Supply Voltage (min) (V)
Supply Voltage (max) (V)
RoHS Available
Package
Operating Temp. Range (°C)
Price**
DS2045W
NV SRAM
128K x 8
Parallel
No
No
No
No
No
Yes
3
3.6
Yes
MOD/256
-40 to +85
$23.61 @ 1k
See All Memory (EPROM, EEPROM, ROM, NV SRAM) (69)
Notes:
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型号尾缀：T或T&R = 卷带; + = RoHS/无铅; # = RoHS/无铅豁免权。详细信息请参考：完整的数据资料 或型号命名规则 。
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封装：
类型 引脚 占位面积
封装图编码/变更 *
温度
RoHS/无铅？
DS2045W-100#
MOD；256引脚；
*
-40°C至+85°C
RoHS/无铅：RoHS认证
材料分析
2006-10-13
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