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概述

DS2045W是1Mb，可回流焊的非易失(NV) SRAM，由一个静态RAM (SRAM)，一个NV控制器和一个内部可充电锰锂(ML)电池构成。这些元件封装在表贴模块内，采用256焊球BGA封装。模块VCC上电后，ML电池开始充电，SRAM由外部电源供电，SRAM内容可修改。VCC断电或超出容限时，控制器对SRAM的内容进行写保护，并由电池对SRAM供电。DS2045W还含有电源监控输出，/RST指示，可用作微处理器的CPU监视器。

关键特性		应用/使用
单片，可回流焊，27mm x 27mm BGA封装 内部ML电池和充电器 VCC超出容限后，对SRAM无条件进行写保护 VCC电源失效后，自动切换到电池供电 内部电源监控，检测电源是否低于标称VCC (3.3V) 复位输出可用作微处理器的CPU监视器 工业级温度范围(-40°C至+85°C) 通过美国保险商实验室协会(UL®)认证		数据采集系统 烟雾报警器 游戏机 工业控制器 PLC POS终端 RAID系统和服务器 路由器/交换机

应用笔记

App Note 202: NV SRAM Frequently Asked Questions - DS2045W (English only) App Note 2077: Using Dallas Semiconductor NV SRAMs in RAID Applications - DS2045W (English only) 应用笔记3693：Maxim为什么选择设计单片NV SRAM模块 - DS2045W App Note 3759: Timing Considerations When Using NVSRAM - DS2045W (English only) App Note 3954: Characteristics of Manganese Lithium (ML) Batteries - DS2045W (English only) App Note 4289: Low-Temperature Data Retention in Nonvolatile SRAM - DS2045W (English only)

评估板

无

可靠性报告

可靠性报告： DS2045W.pdf (English only) 通过美国保险商实验室协会(UL®)认证

软件/模型

无

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注： 购买产品，请访问：http://www.maxim-ic.com.cn/sales。 没有找到您所需要的器件？请咨询我们的应用工程师。我们的专家会帮助您找到合适的器件，通常在一个工作日内回复。 型号尾缀：T或T&R = 卷带; + = RoHS/无铅; # = RoHS/无铅豁免权。详细信息请参考：完整的数据资料或型号命名规则。 * “封装代码/变更”提供产品使用的变更信息。注意：型号尾缀中的“+”、“#”和“-”表示器件的RoHS状况，封装图上可能显示不同的尾缀字符。

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