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DS2030AB, DS2030Y
单芯片、256k位非易失SRAM
概述
完整的数据资料
(PDF, 224kB) 英文
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DS2030是256kb, 可回流焊的非易失(NV) SRAM，由一个静态RAM (SRAM)，一个NV控制器和一个内部可充电锰锂(ML)电池构成。这些元件封装在表贴模块中，采用256焊球BGA封装。模块VCC 上电后，ML电池开始充电，SRAM由外部电源供电，SRAM内容可修改。VCC 断电或超出容限时，控制器对SRAM的内容进行写保护，并由电池对SRAM供电。DS2030有两种版本，分别提供5%和10%的电源监控跳变点。DS2030还具有一个电源监控输出，/RST指示，可用作微处理器的CPU监视器。
关键特性
应用/使用
单片，可回流焊，27mm x 27mm BGA封装
内部ML电池和充电器
VCC 超出容限后，对SRAM无条件写保护
VCC 电源失效后，自动切换到电池供电
内部电源监控，检测电源是否低于标称VCC (5V)的5%或10%
复位输出可用作微处理器的CPU监视器
工业级温度范围(-40°C至+85°C)
通过UL认证
Key Specifications:
Memory (EPROM, SRAM, EEPROM, ROM, NV SRAM)
Part Number
Memory Type
Memory Size
Bus Type
Real-Time Clock
DIP with Internal Battery
PowerCap Package
Battery Monitor
With GPIO
Single Piece Module
Features
Supply Voltage (min) (V)
Supply Voltage (max) (V)
RoHS Available
Package
Smallest Available Package (max w/pins) (mm2 )
Operating Temp. Range (°C)
Price**
DS2030AB
NV SRAM
32k x 8
Parallel
No
No
No
No
No
Yes
4.75
5.25
Yes
MOD/256
729
-40 to +85
$22.86 @ 1k
DS2030Y
4.5
5.5
$22.86 @ 1k
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Notes:
** This pricing is BUDGETARY, for comparing similar parts. Prices are in
U.S. dollars and subject to change. Quantity pricing may vary
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duties, taxes, fees, and exchange rates. For volume-specific prices
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2006-10-16
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