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概述

DS38464带有2,621,440位非易失静态RAM (NV SRAM)，按照64k x 40排列。由三片64k x 16 SRAM、非易失控制器和一节锂电池构成，该款非易失存储器包括了所有必需的控制电路和锂电池，能够在没有外部电源的情况下保持6年以上的数据完整性。DS38464采用通用的JEDEC标准72点SIMM连接结构，无需外部电路。

关键特性

2M位按照64k x 40排列 在没有外部电源的情况下最少可以保存数据6年 非易失存储器对主机系统完全透明并独立于主机 自动写保护电路可防止数据丢失 电池监视器核查剩余电量 70ns快速读写存取时间 3.0V至3.6V VCC工作范围 通用的JEDEC标准72点SIMM连接结构 0°C至+70°C温度范围

应用笔记

App Note 2077: Using Dallas Semiconductor NV SRAMs in RAID Applications - DS38464 (English only) App Note 3254: Battery Monitoring in NV SRAM Modules - DS38464 (English only) App Note 3759: Timing Considerations When Using NVSRAM - DS38464 (English only)

评估板

无

设计指南

非易失存储器 (PDF)

可靠性报告

申请可靠性报告： DS38464 (English only)

软件/模型

无

定购信息
注： 购买产品，请访问：http://www.maxim-ic.com.cn/sales。 没有找到您所需要的器件？请咨询我们的应用工程师。我们的专家会帮助您找到合适的器件，通常在一个工作日内回复。 型号尾缀：T或T&R = 卷带; + = RoHS/无铅; # = RoHS/无铅豁免权。详细信息请参考：完整的数据资料或型号命名规则。 * “封装代码/变更”提供产品使用的变更信息。注意：型号尾缀中的“+”、“#”和“-”表示器件的RoHS状况，封装图上可能显示不同的尾缀字符。
器件： 1-1 of 1
DS38464	注	免费样品	采购	封装： 类型 引脚 占位面积   封装图编码/变更 *	温度	RoHS/无铅？ 材料分析
DS38464-070	3.3V、70ns			module	0°C至+70°C	参考数据资料

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