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DS38464
3.3V、64k x 40 NV SRAM SIMM

不推荐在新产品中使用
型号 替代产品 说明
DS38464-070 n/a 该产品已不再生产。


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概述
DS38464带有2,621,440位非易失静态RAM (NV SRAM),按照64k x 40排列。由三片64k x 16 SRAM、非易失控制器和一节锂电池构成,该款非易失存储器包括了所有必需的控制电路和锂电池,能够在没有外部电源的情况下保持6年以上的数据完整性。DS38464采用通用的JEDEC标准72点SIMM连接结构,无需外部电路。

关键特性
  • 2M位按照64k x 40排列
  • 在没有外部电源的情况下最少可以保存数据6年
  • 非易失存储器对主机系统完全透明并独立于主机
  • 自动写保护电路可防止数据丢失
  • 电池监视器核查剩余电量
  • 70ns快速读写存取时间
  • 3.0V至3.6V VCC工作范围
  • 通用的JEDEC标准72点SIMM连接结构
  • 0°C至+70°C温度范围

Key Specifications:   Memory (EPROM, EEPROM, ROM, NV SRAM)
Part Number Memory Type Memory Size Bus Type Real-Time Clock DIP with Internal Battery PowerCap Package Battery Monitor With GPIO Supply Voltage (min) (V) Supply Voltage (max) (V)
DS38464  NV SRAM 64k x 40 Parallel No No No Yes No 3 3.6
See All Memory (EPROM, EEPROM, ROM, NV SRAM) (54)

应用笔记
  • App Note 2077: Using Dallas Semiconductor NV SRAMs in RAID Applications - DS38464 (English only)
  • App Note 3254: Battery Monitoring in NV SRAM Modules - DS38464 (English only)
  • App Note 3759: Timing Considerations When Using NVSRAM - DS38464 (English only)

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    2002-10-30
    本页最后一次更新: 2007-07-16


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