快速浏览

技术文档

定购信息

更多信息

所有内容

概述

完整的数据资料 (PDF, 192kB) 英文 下载 DS38464带有2,621,440位非易失静态RAM (NV SRAM)，按照64k x 40排列。由三片64k x 16 SRAM、非易失控制器和一节锂电池构成，该款非易失存储器包括了所有必需的控制电路和锂电池，能够在没有外部电源的情况下保持6年以上的数据完整性。DS38464采用通用的JEDEC标准72点SIMM连接结构，无需外部电路。

关键特性

2M位按照64k x 40排列 在没有外部电源的情况下最少可以保存数据6年 非易失存储器对主机系统完全透明并独立于主机 自动写保护电路可防止数据丢失 电池监视器核查剩余电量 70ns快速读写存取时间 3.0V至3.6V VCC工作范围 通用的JEDEC标准72点SIMM连接结构 0°C至+70°C温度范围

没有找到你需要的产品吗？

应用工程师帮助选型，下个工作日回复 参数搜索 应用帮助

快速浏览

技术文档

定购信息

更多信息

概述   关键特性   应用/使用   关键指标   图表

数据资料   应用笔记   设计指南   工程期刊   可靠性报告   软件/模型   评估板

价格与供货   样品   在线订购   封装信息   无铅信息

相关产品   注释、注解   评估板