DS1265W 3.3V、8Mb非易失SRAM

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DS1265W 8Mb非易失(NV) SRAM为8,388,608位、全静态NV SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视V_CC是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。该器件没有写次数限制，可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。

关键特性

在没有外部电源时下最少可以保存数据10年
掉电期间数据被自动保护
没有写次数限制
低功耗CMOS操作
100ns的读写存取时间
第一次上电前，锂电池与电路断开、维持保鲜状态
可选的-40°C至+85°C工业级(IND)温度范围
通过美国保险商实验室协会(UL®)认证

Key Specifications: Memory (EPROM, EEPROM, ROM, NV SRAM)

Part Number

Memory Type

Memory Size

Bus Type

Real-Time Clock

DIP with Internal Battery

PowerCap Package

Battery Monitor

With GPIO

Single Piece Module

Supply Voltage (min) (V)

Supply Voltage (max) (V)

Price^**

DS1265W

NV SRAM

1M x 8

Parallel

Yes

3.6

$69.55 @ 1k

See All Memory (EPROM, EEPROM, ROM, NV SRAM) (69)

Notes:
^**This pricing is BUDGETARY, for comparing similar parts. Prices are in U.S. dollars and subject to change. Quantity pricing may vary substantially and international prices may differ due to local duties, taxes, fees, and exchange rates. For volume-specific prices and delivery, please see the price and availability page or contact an authorized distributor.

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2006-09-01
本页最后一次更新: 2007-06-29

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