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Maxim > 产品 > 存储器：易失、非易失(NV)、多功能存储产品 
DS1265W
3.3V、8Mb非易失SRAM


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数据资料
完整的数据资料 (PDF, 196kB)
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勘误表
  • 勘误表 DS1265W 1265WB.pdf

    • 概述
    DS1265W 8Mb非易失(NV) SRAM为8,388,608位、全静态NV SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。该器件没有写次数限制，可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。

    关键特性
  		• 在没有外部电源时下最少可以保存数据10年
  		• 掉电期间数据被自动保护
  		• 没有写次数限制
  		• 低功耗CMOS操作
  		• 100ns的读写存取时间
  		• 第一次上电前，锂电池与电路断开、维持保鲜状态
  		• 可选的-40°C至+85°C工业级(IND)温度范围

    Key Specifications:   Memory (EPROM, EEPROM, ROM, NV SRAM)
    Part Number Memory Type Memory Size Bus Type Real-Time Clock DIP with Internal Battery PowerCap Package Battery Monitor With GPIO Single Piece Module Supply Voltage (min) (V) Supply Voltage (max) (V) RoHS Available Package Operating Temp. Range (°C) Price**
    DS1265W  NV SRAM 1M x 8 Parallel No Yes No No No No 3 3.6 Yes MOD/36 -40 to +85
    0 to +70     		$69.55 @ 1k
    See All Memory (EPROM, EEPROM, ROM, NV SRAM) (69)
    Notes:
    **This pricing is BUDGETARY, for comparing similar parts. Prices are in U.S. dollars and subject to change. Quantity pricing may vary substantially and international prices may differ due to local duties, taxes, fees, and exchange rates. For volume-specific prices and delivery, please see the price and availability page or contact an authorized distributor.

    应用笔记
  		• App Note 202: NV SRAM Frequently Asked Questions - DS1265W (English only)
  		• App Note 1066: Tech. Brief 39: NV SRAM Cross Reference Table - DS1265W (English only)
  		• App Note 3759: Timing Considerations When Using NVSRAM - DS1265W (English only)
  		• 应用笔记3840：新一代NV SRAM技术 - DS1265W
  		• App Note 4289: Low-Temperature Data Retention in Nonvolatile SRAM - DS1265W (English only)

    评估板
    无

    设计指南
  		• 非易失存储器 (PDF)

    可靠性报告
  		• 可靠性报告： DS1265W.pdf (English only)

    软件/模型
    无

    定购信息
    注：

    1. 购买产品，请访问：http://www.maxim-ic.com.cn/sales。
    2. 没有找到您所需要的器件？请咨询我们的应用工程师。我们的专家会帮助您找到合适的器件，通常在一个工作日内回复。
    3. 型号尾缀：T或T&R = 卷带; + = RoHS/无铅; # = RoHS/无铅豁免权。详细信息请参考：完整的数据资料或型号命名规则。
    4. * “封装代码/变更”提供产品使用的变更信息。注意：型号尾缀中的“+”、“#”和“-”表示器件的RoHS状况，封装图上可能显示不同的尾缀字符。


    器件： 1-6 of 6

    DS1265W 注 免费样品 采购
    封装： 类型 引脚 占位面积
      封装图编码/变更 *
    		温度 RoHS/无铅？
    材料分析
    DS1265W-100+  
    		MOD；36引脚；
    Dwg: 56-G0002-001
    使用封装码/变更：MDT36+1*
    		0°C至+70°C RoHS/无铅：无铅
    材料分析
    DS1265W-150+  
    		MOD；36引脚；
    Dwg: 56-G0002-001
    使用封装码/变更：MDT36+1*
    		0°C至+70°C RoHS/无铅：无铅
    材料分析
    DS1265W-100   3.3V、100ns
    		MOD；36引脚；
    Dwg: 56-G0002-001
    使用封装码/变更：MDT36-1*
    		0°C至+70°C RoHS/无铅：否
    材料分析
    DS1265W-150   3.3V、150ns
    		MOD；36引脚；
    Dwg: 56-G0002-001
    使用封装码/变更：MDT36-1*
    		0°C至+70°C RoHS/无铅：否
    材料分析
    DS1265W-100IND   3.3V、100ns
    		MOD；36引脚；
    Dwg: 56-G0002-001
    使用封装码/变更：MDT36-1*
    		-40°C至+85°C RoHS/无铅：否
    材料分析
    DS1265W-100IND+  
    		MOD；36引脚；
    Dwg: 56-G0002-001
    使用封装码/变更：MDT36+1*
    		-40°C至+85°C RoHS/无铅：无铅
    材料分析

    更多信息
  		• UL认证

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    2006-09-01
    本页最后一次更新: 2007-06-29




             


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