DS1270W 3.3V、16Mb非易失SRAM

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3.3V非易失SRAM，提供16Mb存储容量

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DS1270W 16Mb非易失(NV) SRAM为16,777,216位、全静态NV SRAM，按照8位、2,097,152字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视V_CC是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。该器件没有写次数限制，可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。

关键特性 应用/使用

在没有外部电源的情况下最少可以保存数据5年
掉电期间数据被自动保护
没有写次数限制
低功耗CMOS操作
100ns的读写存取时间
第一次上电前，锂电池与电路断开、维持保鲜状态
可选的-40°C至+85°C工业级(IND)温度范围

自动测试设备(ATE)
水电气表自动抄表
楼宇能源管理(HVAC)
电缆调制解调器
计算机：台式机、工作站、服务器
数字电视(接收机，机顶盒)
调制解调器(模拟、ISDN、DSL)
网络集线器、交换机和路由器
笔记本电脑
示波器
打印机与传真机
可编程逻辑控制器
存储系统
测试与测量设备

Key Specifications: Memory (EPROM, EEPROM, ROM, NV SRAM)

Part Number

Memory Type

Memory Size

Bus Type

Real-Time Clock

DIP with Internal Battery

PowerCap Package

Battery Monitor

With GPIO

Single Piece Module

Supply Voltage (min) (V)

Supply Voltage (max) (V)

RoHS Available

Package

Smallest Available Package (max w/pins) (mm²)

Operating Temp. Range (°C)

Price^**

DS1270W

NV SRAM

2M x 8

Parallel

Yes

3.6

Yes

MOD/36

862

-40 to +85
0 to +70

$113.02 @ 1k

See All Memory (EPROM, EEPROM, ROM, NV SRAM) (69)

Notes:
^**This pricing is BUDGETARY, for comparing similar parts. Prices are in U.S. dollars and subject to change. Quantity pricing may vary substantially and international prices may differ due to local duties, taxes, fees, and exchange rates. For volume-specific prices and delivery, please see the price and availability page or contact an authorized distributor.

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2006-09-01
本页最后一次更新: 2007-06-29

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