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完整的数据资料 (PDF, 248kB) 英文 下载 DS1350W 3.3V、4096k非易失SRAM为4,194,304位、全静态非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。此外，DS1350W器件具有监视VCC状态和内部锂电池状态的专用电路。PowerCap模块封装的DS1350W器件可以直接表面贴安装、通常与DS9034PC PowerCap配合构成一个完整的非易失SRAM模块。可用来替代512k x 8 SRAM、EEPROM或闪存器件。

关键特性

在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年 掉电期间数据被自动保护 当VCC电压跌落时，电源监视器能够复位处理器、并在VCC上升期间持续保持处理器的复位状态 电池监视器核查剩余电量 100ns的读写存取时间 没有写次数限制 典型待机电流50µA 可升级512k x 8 SRAM、EEPROM或闪存 第一次上电前，锂电池与电路断开、维持保鲜状态 可选的-40°C至+85°C工业级温度范围，指定为IND PowerCap模块(PCM)封装 表面贴装模块 可更换的即时安装PowerCap提供备份锂电池 所有非易失SRAM器件提供标准引脚 分离的PowerCap用常规的螺丝起子便可方便拆卸 通过美国保险商实验室协会(UL®)认证

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