DS1258AB, DS1258Y 128k x 16非易失SRAM

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DS1258 128k x 16非易失(NV) SRAM为2,097,152位、全静态非易失SRAM，按照16位、131,072字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视V_CC是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。DIP封装的DS1258器件可以用来替代利用各种分立元件构建的128k x 16非易失存储器。该器件没有写次数限制，可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。

关键特性

在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年
掉电期间数据被自动保护
独立的向上/向下字节片选输入
没有写次数限制
低功耗CMOS操作
70ns的读写存取时间
第一次上电前，锂电池与电路断开、维持保鲜状态
±10%电源工作范围(DS1258Y)
可选择±5%电源工作范围(DS1258AB)
可选的工业级温度范围为-40°C至+85°C，指定为IND

Key Specifications: Memory (EPROM, EEPROM, ROM, NV SRAM)

Part Number

Memory Type

Memory Size

Bus Type

Real-Time Clock

DIP with Internal Battery

PowerCap Package

Battery Monitor

With GPIO

Single Piece Module

Supply Voltage (min) (V)

Supply Voltage (max) (V)

RoHS Available

Package

Operating Temp. Range (°C)

Price^**

DS1258AB

NV SRAM

128K x 16

Parallel

Yes

4.75

5.25

Yes

MOD/40

-40 to +85
0 to +70

$33.04 @ 1k

DS1258Y

4.5

5.5

$33.04 @ 1k

See All Memory (EPROM, EEPROM, ROM, NV SRAM) (69)

Notes:
^**This pricing is BUDGETARY, for comparing similar parts. Prices are in U.S. dollars and subject to change. Quantity pricing may vary substantially and international prices may differ due to local duties, taxes, fees, and exchange rates. For volume-specific prices and delivery, please see the price and availability page or contact an authorized distributor.

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2006-09-01
本页最后一次更新: 2007-06-18

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