DS1245W 3.3V、1024k非易失SRAM

		ENGLISH • 简体中文 • 日本語 • 한국어

最新内容

Maxim > 产品 > 存储器：易失、非易失(NV)、多功能存储产品

快速浏览技术文档定购信息更多信息所有内容

概述

完整的数据资料 (PDF, 248kB)
英文下载

DS1245W 3.3V 1024k非易失SRAM为1,048,576位、全静态非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视V_CC是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。DIP封装的DS1245W器件可以用来替代现有的128k x 8静态RAM，符合通用的单字节宽、32引脚DIP标准。PowerCap模块封装的DS1245W器件可直接表面贴安装、通常与DS9034PC PowerCap配合构成一个完整的非易失SRAM模块。该器件没有写次数限制，可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。

关键特性

在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年
掉电期间数据被自动保护
替代128k x 8易失静态RAM、EEPROM或闪存
没有写次数限制
低功耗CMOS
100ns的读写存取时间
第一次上电前，锂电池与电路断开、维持保鲜状态
可选的-40°C至+85°C工业级温度范围，指定为IND
JEDEC标准的32引脚DIP封装
PowerCap模块(PCM)封装

表面贴装模块
可更换的即时安装PowerCap提供备份锂电池
所有非易失SRAM器件提供标准引脚
分离的PowerCap用常规的螺丝起子便可方便拆卸

Key Specifications: Memory (EPROM, EEPROM, ROM, NV SRAM)

Part Number

Memory Type

Memory Size

Bus Type

Real-Time Clock

DIP with Internal Battery

PowerCap Package

Battery Monitor

With GPIO

Single Piece Module

Supply Voltage (min) (V)

Supply Voltage (max) (V)

RoHS Available

Package

Smallest Available Package (max w/pins) (mm²)

Operating Temp. Range (°C)

Price^**

DS1245W

NV SRAM

128k x 8

Parallel

Yes

3.6

Yes

MOD/32
PWRCP/34

607

-40 to +85
0 to +70

$11.94 @ 1k

See All Memory (EPROM, EEPROM, ROM, NV SRAM) (69)

Notes:
^**This pricing is BUDGETARY, for comparing similar parts. Prices are in U.S. dollars and subject to change. Quantity pricing may vary substantially and international prices may differ due to local duties, taxes, fees, and exchange rates. For volume-specific prices and delivery, please see the price and availability page or contact an authorized distributor.

没有找到你需要的产品吗？

应用工程师帮助选型，下个工作日回复
参数搜索
应用帮助

快速浏览 技术文档 定购信息 更多信息

概述
关键特性
应用/使用
关键指标
图表

数据资料
 应用笔记
 设计指南
工程期刊
可靠性报告
软件/模型
评估板

价格与供货
 样品
 在线订购
 封装信息
 无铅信息

相关产品
注释、注解
评估板

2007-12-20
本页最后一次更新: 2007-12-20

隐私权政策 • 法律声明