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完整的数据资料 (PDF, 160kB) 英文 下载 DS1225AB及DS1225AD为65,536位、全静态非易失(NV) SRAM，按照8位、8192字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。NV SRAM可以用来直接替代现有的8k x 8 SRAM，符合通用的单字节宽、28引脚DIP标准。这些器件还与2764 EPROM及2864 EEPROM的引脚排列匹配，可直接替换并增强其性能。该器件没有写次数限制，可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。

关键特性

在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年 掉电期间数据被自动保护 直接替代8k x 8易失静态RAM或EEPROM 没有写次数限制 低功耗CMOS操作 JEDEC标准的28引脚DIP封装 70ns的读写存取时间 第一次上电前，锂电池与电路断开、维持保鲜状态 ±10% VCC工作范围(DS1225AD) 可选择±5% VCC工作范围(DS1225AB) 可选的-40°C至+85°C工业级温度范围，指定为IND

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