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概述

DS1200串行RAM芯片是一个微型读/写存储器，能够随机存取单个8位数据串(字节)或连续存取1024位数据块(突发模式)。片内电路降低了与微处理器的接口成本，仅需CLK、/RST及DQ三个信号便可实现数据传输。 在电池输入端VBAT接入一个2V至4V的电池便可获得非易失性。对于要求一定数据保持时间的应用可以按照0.5µA负载确定外部电池的容量。如果不要求非易失性，VBAT引脚应接地。

关键特性		应用/使用
1024位读/写存储器 对于备用电池应用提供极低的数据保持电流 每秒四百万比特的数据率 具有单字节或多字节数据传输能力 没有写次数限制 低功耗CMOS电路		自动系统设置 校准器 计算机识别 安全人员区域 软件授权 系统接入控制 旅行工作记录

评估板

无

可靠性报告

申请可靠性报告： DS1200 (English only)

软件/模型

无

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注： 购买产品，请访问：http://www.maxim-ic.com.cn/sales。 没有找到您所需要的器件？请咨询我们的应用工程师。我们的专家会帮助您找到合适的器件，通常在一个工作日内回复。 型号尾缀：T或T&R = 卷带; + = RoHS/无铅; # = RoHS/无铅豁免权。详细信息请参考：完整的数据资料或型号命名规则。 * “封装代码/变更”提供产品使用的变更信息。注意：型号尾缀中的“+”、“#”和“-”表示器件的RoHS状况，封装图上可能显示不同的尾缀字符。
器件： 1-3 of 3
DS1200	免费样品	采购	封装： 类型 引脚 占位面积   封装图编码/变更 *	温度	RoHS/无铅？ 材料分析
DS1200S+			SOIC(W)；16引脚；112mm² 封装图： 21-0042 (PDF) Land Pattern: 90-0107 (PDF) 使用封装码/变更：W16+2*	0°C至+70°C	RoHS/无铅：无铅 材料分析
DS1200S+C02			SOIC(W)；16引脚；112mm² 封装图： 21-0042 (PDF) Land Pattern: 90-0107 (PDF) 使用封装码/变更：W16+2*	0°C至+70°C	RoHS/无铅：无铅 材料分析
DS1200S			SOIC(W)；16引脚；112mm² 封装图： 21-0042 (PDF) Land Pattern: 90-0107 (PDF) 使用封装码/变更：W16-2*	0°C至+70°C	RoHS/无铅：否 材料分析

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