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完整的数据资料 (PDF, 240kB) 英文 下载 英文 打开新页面 DS1200串行RAM芯片是一个微型读/写存储器，能够随机存取单个8位数据串(字节)或连续存取1024位数据块(突发模式)。片内电路降低了与微处理器的接口成本，仅需CLK、/RST及DQ三个信号便可实现数据传输。 在电池输入端VBAT接入一个2V至4V的电池便可获得非易失性。对于要求一定数据保持时间的应用可以按照0.5µA负载确定外部电池的容量。如果不要求非易失性，VBAT引脚应接地。

关键特性		应用/使用
1024位读/写存储器 对于备用电池应用提供极低的数据保持电流 每秒四百万比特的数据率 具有单字节或多字节数据传输能力 没有写次数限制 低功耗CMOS电路		自动系统设置 校准器 计算机识别 安全人员区域 软件授权 系统接入控制 旅行工作记录

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