DS1135 3合1、高速硅延迟线

概述

DS1135系列是流行的DS1013与DS1035的低功率、+5V、高速版本。

DS1135系列延迟线在单个封装内有三个独立的逻辑缓冲延迟线。该器件是Dallas Semiconductor最快的3合1延迟线。它采用标准8引脚DIP、150mil 8引脚Mini-SOIC，以及118mil 8引脚µSOP封装。该器件具有精确的前沿和后沿延迟。它具有全硅延迟线方案固有的可靠性。每个输出可以驱动10个LS负载。完整数据资料中的表1给出了标准延迟值。如果用户要定制延迟值，可致电(972) 371-4348 (美国)联系Dallas Semiconductor，以获得进一步的信息。

关键特性

全硅定时电路
三个独立的缓冲延迟线
在整个温度与电压范围内保证稳定和精确
精密的前沿和后沿特性保证了输入信号的对称性
标准8引脚DIP、8引脚SOIC (150mil)，以及8引脚µSOP (118mil)封装
兼容汽相、红外和波峰焊
采用卷带包装
备有商业和工业级温度范围；见定购信息表
5V电源供电(如果用3V电源供电，见DS1135L)
DS1013与DS1035的推荐替代产品

Key Specifications: Delay-Lines (Non-Programmable)

Part Number

Functions

Number of Independent Delays

Available Total Delays (ns)

Supply Voltage (V)

Variation in Supply Voltage

RoHS Available

Package

Smallest Available Package (max w/pins) (mm²)

Price^**

DS1135

•

Multiple

6 to 30

±5%

Yes

PDIP/8
SOIC/8
uSOP/8

$3.26 @ 1k

See All Delay-Lines (Non-Programmable) (9)

Notes:
^**This pricing is BUDGETARY, for comparing similar parts. Prices are in U.S. dollars and subject to change. Quantity pricing may vary substantially and international prices may differ due to local duties, taxes, fees, and exchange rates. For volume-specific prices and delivery, please see the price and availability page or contact an authorized distributor.

定购信息

注：

购买产品，请访问：http://www.maxim-ic.com.cn/sales。
没有找到您所需要的器件？请咨询我们的应用工程师。我们的专家会帮助您找到合适的器件，通常在一个工作日内回复。
型号尾缀：T或T&R = 卷带; + = RoHS/无铅; # = RoHS/无铅豁免权。详细信息请参考：完整的数据资料或型号命名规则。
* “封装代码/变更”提供产品使用的变更信息。注意：型号尾缀中的“+”、“#”和“-”表示器件的RoHS状况，封装图上可能显示不同的尾缀字符。

器件： 1-46 of 46

DS1135

免费样品

采购

封装：	类型引脚占位面积
	封装图编码/变更 *

温度

RoHS/无铅？
材料分析

DS1135M-20

PDIP；8引脚；80mm²
封装图： 56-G5005-000A (PDF)
使用封装码/变更：P8-7*

-40°C至+85°C

RoHS/无铅：否
材料分析

DS1135M-25

PDIP；8引脚；80mm²
封装图： 56-G5005-000A (PDF)
使用封装码/变更：P8-7*

-40°C至+85°C

RoHS/无铅：否
材料分析

DS1135M-15

PDIP；8引脚；80mm²
封装图： 56-G5005-000A (PDF)
使用封装码/变更：P8-7*

-40°C至+85°C

RoHS/无铅：否
材料分析

DS1135M-6

PDIP；8引脚；80mm²
封装图： 56-G5005-000A (PDF)
使用封装码/变更：P8-7*

-40°C至+85°C

RoHS/无铅：否
材料分析

DS1135M-12

PDIP；8引脚；80mm²
封装图： 56-G5005-000A (PDF)
使用封装码/变更：P8-7*

-40°C至+85°C

RoHS/无铅：否
材料分析

DS1135M-10

PDIP；8引脚；80mm²
封装图： 56-G5005-000A (PDF)
使用封装码/变更：P8-7*

-40°C至+85°C

RoHS/无铅：否
材料分析

DS1135M-8

PDIP；8引脚；80mm²
封装图： 56-G5005-000A (PDF)
使用封装码/变更：P8-7*

-40°C至+85°C

RoHS/无铅：否
材料分析

DS1135Z-25/T&R

SOIC；8引脚；31mm²
封装图： 56-G2008-001C (PDF)
使用封装码/变更：S8-2*

-40°C至+85°C

RoHS/无铅：否
材料分析

DS1135Z-6+T&R

SOIC；8引脚；31mm²
封装图： 56-G2008-001C (PDF)
使用封装码/变更：S8+2*

-40°C至+85°C

RoHS/无铅：无铅
材料分析

DS1135Z-10+T&R

SOIC；8引脚；31mm²
封装图： 56-G2008-001C (PDF)
使用封装码/变更：S8+2*

-40°C至+85°C

RoHS/无铅：无铅
材料分析

DS1135Z-15+T&R

SOIC；8引脚；31mm²
封装图： 56-G2008-001C (PDF)
使用封装码/变更：S8+2*

-40°C至+85°C

RoHS/无铅：无铅
材料分析

DS1135Z-20+T&R

SOIC；8引脚；31mm²
封装图： 56-G2008-001C (PDF)
使用封装码/变更：S8+2*

-40°C至+85°C

RoHS/无铅：无铅
材料分析

DS1135Z-20/T&R

SOIC；8引脚；31mm²
封装图： 56-G2008-001C (PDF)
使用封装码/变更：S8-4*

-40°C至+85°C

RoHS/无铅：否
材料分析

DS1135Z-25+T&R

SOIC；8引脚；31mm²
封装图： 56-G2008-001C (PDF)
使用封装码/变更：S8+2*

-40°C至+85°C

RoHS/无铅：无铅
材料分析

DS1135Z-30+T&R

SOIC；8引脚；31mm²
封装图： 56-G2008-001C (PDF)
使用封装码/变更：S8+2*

-40°C至+85°C

RoHS/无铅：无铅
材料分析

DS1135Z-30/T&R

SOIC；8引脚；31mm²
封装图： 56-G2008-001C (PDF)
使用封装码/变更：S8-4*

-40°C至+85°C

RoHS/无铅：否
材料分析

DS1135Z-6+

SOIC；8引脚；31mm²
封装图： 56-G2008-001C (PDF)
使用封装码/变更：S8+2*

-40°C至+85°C

RoHS/无铅：无铅
材料分析

DS1135Z-15+

SOIC；8引脚；31mm²
封装图： 56-G2008-001C (PDF)
使用封装码/变更：S8+2*

-40°C至+85°C

RoHS/无铅：无铅
材料分析

DS1135Z-30+W

SOIC；8引脚；31mm²
封装图： 56-G2008-001C (PDF)
使用封装码/变更：S8+2*

-40°C至+85°C

RoHS/无铅：无铅
材料分析

DS1135Z-10+

SOIC；8引脚；31mm²
封装图： 56-G2008-001C (PDF)
使用封装码/变更：S8+2*

-40°C至+85°C

RoHS/无铅：无铅
材料分析

DS1135Z-6

SOIC；8引脚；31mm²
封装图： 56-G2008-001C (PDF)
使用封装码/变更：S8-2*

-40°C至+85°C

RoHS/无铅：否
材料分析

DS1135Z-8

SOIC；8引脚；31mm²
封装图： 56-G2008-001C (PDF)
使用封装码/变更：S8-2*

-40°C至+85°C

RoHS/无铅：否
材料分析

DS1135Z-12

SOIC；8引脚；31mm²
封装图： 56-G2008-001C (PDF)
使用封装码/变更：S8-2*

-40°C至+85°C

RoHS/无铅：否
材料分析

DS1135Z-10

SOIC；8引脚；31mm²
封装图： 56-G2008-001C (PDF)
使用封装码/变更：S8-2*

-40°C至+85°C

RoHS/无铅：否
材料分析

DS1135Z-15

SOIC；8引脚；31mm²
封装图： 56-G2008-001C (PDF)
使用封装码/变更：S8-2*

-40°C至+85°C

RoHS/无铅：否
材料分析

DS1135Z-20

SOIC；8引脚；31mm²
封装图： 56-G2008-001C (PDF)
使用封装码/变更：S8-4*

-40°C至+85°C

RoHS/无铅：否
材料分析

DS1135Z-25

SOIC；8引脚；31mm²
封装图： 56-G2008-001C (PDF)
使用封装码/变更：S8-2*

-40°C至+85°C

RoHS/无铅：否
材料分析

DS1135Z-30

SOIC；8引脚；31mm²
封装图： 56-G2008-001C (PDF)
使用封装码/变更：S8-4*

-40°C至+85°C

RoHS/无铅：否
材料分析

DS1135Z-20+

SOIC；8引脚；31mm²
封装图： 56-G2008-001C (PDF)
使用封装码/变更：S8+2*

-40°C至+85°C

RoHS/无铅：无铅
材料分析

DS1135Z-25+

SOIC；8引脚；31mm²
封装图： 56-G2008-001C (PDF)
使用封装码/变更：S8+2*

-40°C至+85°C

RoHS/无铅：无铅
材料分析

DS1135Z-30+

SOIC；8引脚；31mm²
封装图： 56-G2008-001C (PDF)
使用封装码/变更：S8+2*

-40°C至+85°C

RoHS/无铅：无铅
材料分析

DS1135Z-8+

SOIC；8引脚；31mm²
封装图： 56-G2008-001C (PDF)
使用封装码/变更：S8+2*

-40°C至+85°C

RoHS/无铅：无铅
材料分析

DS1135Z-12+

SOIC；8引脚；31mm²
封装图： 56-G2008-001C (PDF)
使用封装码/变更：S8+2*

-40°C至+85°C

RoHS/无铅：无铅
材料分析

DS1135U-12/T&R

uSOP；8引脚；16mm²
封装图： 21-0036J (PDF)
使用封装码/变更：U8-1*

-40°C至+85°C

RoHS/无铅：否
材料分析

DS1135U-15/T&R

uSOP；8引脚；16mm²
封装图： 21-0036J (PDF)
使用封装码/变更：U8-1*

-40°C至+85°C

RoHS/无铅：否
材料分析

DS1135U-10/T&R

uSOP；8引脚；16mm²
封装图： 21-0036J (PDF)
使用封装码/变更：U8-1*

-40°C至+85°C

RoHS/无铅：否
材料分析

DS1135U-20/T&R

uSOP；8引脚；16mm²
封装图： 21-0036J (PDF)
使用封装码/变更：U8-1*

-40°C至+85°C

RoHS/无铅：否
材料分析

DS1135U-6

uSOP；8引脚；16mm²
封装图： 21-0036J (PDF)
使用封装码/变更：U8-1*

-40°C至+85°C

RoHS/无铅：否
材料分析

DS1135U-8

uSOP；8引脚；16mm²
封装图： 21-0036J (PDF)
使用封装码/变更：U8-1*

-40°C至+85°C

RoHS/无铅：否
材料分析

DS1135U-10

uSOP；8引脚；16mm²
封装图： 21-0036J (PDF)
使用封装码/变更：U8-1*

-40°C至+85°C

RoHS/无铅：否
材料分析

DS1135U-12

uSOP；8引脚；16mm²
封装图： 21-0036J (PDF)
使用封装码/变更：U8-1*

-40°C至+85°C

RoHS/无铅：否
材料分析

DS1135U-15

uSOP；8引脚；16mm²
封装图： 21-0036J (PDF)
使用封装码/变更：U8-1*

-40°C至+85°C

RoHS/无铅：否
材料分析

DS1135U-20

uSOP；8引脚；16mm²
封装图： 21-0036J (PDF)
使用封装码/变更：U8-1*

-40°C至+85°C

RoHS/无铅：否
材料分析

DS1135U-30

uSOP；8引脚；16mm²
封装图： 21-0036J (PDF)
使用封装码/变更：U8-1*

-40°C至+85°C

RoHS/无铅：否
材料分析

DS1135U-8+T&R

uSOP；8引脚；16mm²
封装图： 21-0036J (PDF)
使用封装码/变更：U8+1*

-40°C至+85°C

参考数据资料
材料分析

DS1135U-25

uSOP；8引脚；16mm²
封装图： 21-0036J (PDF)
使用封装码/变更：U8-1*

-40°C至+85°C

RoHS/无铅：否
材料分析