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MXD1210 非易失RAM控制器

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The MXD1210 nonvolatile RAM controller is a very low-power CMOS circuit that converts standard (volatile) CMOS RAM into nonvolatile memory. It also continually monitors the power supply to provide RAM write protection when power to the RAM is in a marginal (out-of-tolerance) condition. When the power supply begins to fail, the RAM is write protected, and the device switches to battery-backup mode.

关键特性 应用/使用

Battery Backup
Memory Write Protection
230µA Operating-Mode Quiescent Current
2nA Backup-Mode Quiescent Current
Battery Freshness Seal
Optional Redundant Battery
Low Forward-Voltage Drop on VCC Supply Switch
5% or 10% Power-Fail Detection Options
Tests Battery Condition During Power-Up
8-Pin SO Available

µP控制系统
计算机：台式机、工作站、服务器
嵌入式系统

Key Specifications: Battery Backup Circuits

Part Number

Reset Threshold Range (V)

Max. I_CC (µA)

Features

RoHS Available

Package

Smallest Available Package (max w/pins) (mm²)

Operating Temp. Range (°C)

Price^**

MXD1210

3.3 to 5.5

500

•	Chip Enable Gate

Yes

CDIP(N)/8
PDIP(N)/8
SOIC(N)/8
SOIC(W)/16

-55 to +125
-40 to +85
0 to +70

$2.44 @ 1k

See All Battery Backup Circuits (86)

Notes:
^**This pricing is BUDGETARY, for comparing similar parts. Prices are in U.S. dollars and subject to change. Quantity pricing may vary substantially and international prices may differ due to local duties, taxes, fees, and exchange rates. For volume-specific prices and delivery, please see the price and availability page or contact an authorized distributor.

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MXD1210：典型工作电路
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参考文献： 19-0154; Rev. 2; 2006-06-30
本页最后一次更新: 2007-05-30