可靠性监控流程(Q1 2008)

请参考：工艺可靠性报告索引，按产品排列 (PDF, 507kB, English only) 应力测试(English only) 预处理 工作寿命 存储寿命 温度周期 温湿度边缘测试 写次数/数据保持 封装完整性 工艺可靠性(English only) 特许0.35µm硅栅CMOS工艺 Dallas 0.35µm硅栅CMOS工艺 Dallas 0.35µm "D"硅栅CMOS工艺 Dallas 0.6µm硅栅CMOS工艺 Dallas 0.8µm硅栅CMOS工艺 Dallas B8硅栅CMOS工艺 MELEXIS标准金属栅 MFN双层多晶硅0.8µmCMOS工艺 MFN双层多晶硅NPN双极型工艺 MFN 1.2µm硅栅CMOS工艺 MFN 1.2µm高压BiCMOS工艺 MFN 3µm硅栅CMOS工艺 MFN 5µm硅栅CMOS工艺 MFN 80V双极型CMOS DMOS工艺 MFN多晶硅射极互补双极型工艺 MFN SiGe HBT CMOS工艺 MFN标准金属栅CMOS工艺 SAT 0.4µm硅栅CMOS工艺 SAT 0.8µm硅栅CMOS工艺，带存储器 SAT 1.2µm硅栅CMOS工艺 SVL 0.4µm硅栅CMOS工艺 SVL 0.6µm硅栅CMOS工艺 SVL 0.8µm硅栅CMOS工艺 SVL 1.2µm硅栅CMOS工艺 SVL SiGe HBT 0.35µmCMOS工艺 TSMC 0.18µm硅栅CMOS工艺 TSMC 0.35µm硅栅CMOS工艺 TSMC 0.5µm硅栅CMOS工艺 装配可靠性(English only) BGA模块 套管 CSBGA CSP Dongle 倒装芯片 iButton LGA LQFP 模块 MQFP PBGA PDIP PLCC 电池帽 QFN QSOP SC70 SipStik SOIC SOT SSOP TO TQFP TSOC TSSOP µSOP 请参考：工艺可靠性报告索引，按产品排列 (PDF, 507kB, English only)