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可靠性报告
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可靠性综合报告
Maxim工艺流程可靠性报告 (English only)
PR-1 (PDF, 29K)
为了满足塑封产品在严格规范的应用中不断增长的需求，Maxim开发了一套高可靠性的塑料封装(包括SOIC)筛选流程。经过该流程筛选的产品可以用在高可靠性的密封设备中，筛选出MIL-STD-883产品，这一点可能不十分确切。经过完全老化和筛选的SOIC不仅提供出色的可靠性，而且有效节省PC板空间。该筛选流程在许多方面与-883器件存在相同的要求，如：在+125°C下的老化和-55°C至+125°C范围的电特性筛选。
RR-1G (PDF, 89K)
Maxim模拟产品的可靠性数据分为四组：标准金属栅CMOS (SMG)；中等电压金属栅CMOS (MV)；硅栅CMOS (SG)；双极型(BIP)处理工艺。1990年至1992年。
RR-1H (PDF, 134K)
Maxim模拟产品的可靠性数据分为六个制造工艺流程：(1) 标准金属栅CMOS (SMG)；(2) 中等电压金属栅CMOS (MV1)；(3) 中等电压硅栅CMOS (MV2)；(4) 3µm硅栅CMOS (SG3)；(5) 5µm硅栅CMOS (SG5)；(6) 双极型(BIP)处理工艺。1990年1月至1994年1月。
RR-1I (PDF, 132K)
Maxim模拟产品的可靠性数据分为七个制造工艺流程：(1) 标准金属栅CMOS (SMG)；(2) 中等电压金属栅CMOS (MV1)；(3) 中等电压硅栅CMOS (MV2)；(4) 3µm硅栅CMOS (SG3)；(5) 5µm硅栅CMOS (SG5)；(6) 1.2µm硅栅CMOS (SG1.2)；(7) 双极型(BIP)处理工艺。1994年。
RR-1J (PDF, 147K)
Maxim模拟产品的可靠性数据分为六个制造工艺流程：(1) 标准金属栅CMOS (SMG)；(2) 中等电压金属栅CMOS (MV1)；(3) 中等电压硅栅CMOS (MV2)；(4) 3µm硅栅CMOS (SG3)；(5) 5µm硅栅CMOS (SG5)；(6) 双极型(BIP)处理工艺。1995年。
RR-1K (PDF, 166K)
Maxim模拟产品的可靠性数据分为七个制造工艺流程：(1) 标准金属栅CMOS (SMG)；(2) 中等电压金属栅CMOS (MV1)；(3) 中等电压硅栅CMOS (MV2)；(4) 3µm硅栅CMOS (SG3)；(5) 5µm硅栅CMOS (SG5)；(6) 1.2µm硅栅CMOS (SG1.2)；(7) 双极型(BIP)处理工艺。1996年。
RR-1L (PDF, 347K)
Maxim模拟产品的可靠性数据分为七个制造工艺流程：(1) 标准金属栅CMOS (SMG)；(2) 中等电压金属栅CMOS (MV1)；(3) 中等电压硅栅CMOS (MV2)；(4) 3µm硅栅CMOS (SG3)；(5) 5µm硅栅CMOS (SG5)；(6) 1.2µm硅栅CMOS (SG1.2)；(7) 双极型(BIP)处理工艺。1997年至1998年。
RR-1M (PDF, 130K)
Maxim模拟产品的可靠性数据分为九个制造工艺流程：(1) 标准金属栅CMOS (SMG)；(2) 中等电压金属栅CMOS (MV1)；(3) 中等电压硅栅CMOS (MV2)；(4) 3µm硅栅CMOS (SG3)；(5) 5µm硅栅CMOS (SG5)；(6) 1.2µm硅栅CMOS (SG1.2)；(7) 0.8µm硅栅CMOS；(8) 0.6µm硅栅CMOS；(9) 双极型(BIP)处理工艺。1999年至2000年。
RR-1N (PDF, 147K)
Maxim模拟产品的可靠性数据分为十个制造工艺流程: (1) 标准金属栅CMOS (SMG); (2) 中等电压金属栅CMOS (M6HV); (3) 中等电压硅栅CMOS (S5HV); (4) 5µm硅栅CMOS (SG5); (5) 3µm硅栅CMOS (S3); (6) 1.2µm硅栅CMOS (S1.2); (7) 0.8µm硅栅CMOS (S8); (8) 0.6µm硅栅CMOS (S6); (9) 80V双极型CMOS DMOS (BCD80); (10) 1.2µm BiCMOS (HV3)。2001年至2002年。
RR-2B (PDF, 52K)
Maxim表面贴器件的可靠性数据包括增强的可靠性强度测试结果，自1991年起，测试单独在环氧表面贴封装上进行。
RR-2C (PDF, 407K)
Maxim表面贴器件的可靠性数据包括增强的可靠性强度测试结果，自1995年起，测试单独在环氧表面贴封装上进行。
RR-B1A (PDF, 89K)
Maxim的高频双极型模拟与数字产品的可靠性数据主要分为四个制造工艺流程：(1) SHPi, 9.3GHz双层双极型；(2) GST-1, 12GHz三层双极型；(3) GST-2, 27GHz三层双极型；(4) CPi, 9.3GHz双层，带有互补垂直PNP器件，达5.5GHz。1994年6月1日至1995年7月1日。
RR-B2A (PDF, 129K)
Maxim的高频双极型模拟与数字产品的可靠性数据主要分为五个制造工艺流程：(1) SHPi, 9.3GHz双层双极型；(2) GST-1, 12GHz三层双极型；(3) GST-2, 27GHz三层双极型；(4) CPi, 9.3GHz双层，带有互补垂直PNP器件，达5.5GHz；(5) CB2, 9.4GHz双层，带有互补垂直PNP器件，达8.7GHz。1994年6月1日至1995年7月1日。
RR-B3A (PDF, 167K)
Maxim的高频双极型模拟与数字产品的可靠性数据主要分为八个制造工艺流程：(1) GST-1, 12GHz三层双极型； (2) GST-2, 27GHz三层双极型；(3) GST-3 SiGe HBT双极型; (4) GST-4 SiGe HBT双极型CMOS (5) CPi, 9.3GHz双层，带有互补垂直PNP器件，达5.5GHz；(6) CB2, 9.4GHz双层，带有互补垂直PNP器件，达8.7GHz; (7) CB3双层射极互补双极型; (8) MB1双层射极0.8微米BiCMOS。1997年1月1日至2003年1月1日。
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