| V |
See 伏特
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| V+ |
See VCC
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| V- |
See VCC
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V-s
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伏特一秒。 |
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V/F
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电压-频率转换。 |
| VA |
See W
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| Vacuum Fluorescent Display |
See VFD
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| Vbb |
See VCC
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Vcc
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一个电路的电源电压经常用一个字母V和两个相同字母的尾缀表示。两个相同字母一般代表与电源连接或通过一个电阻与电源连接的晶体管的端点。
例如：VCC是一个正极性电源，双极型晶体管的集电极连接到VCC电源或与VCC连接的负载。VSS表示连接到FET的源极等。
V+和V-也经常用来表示电源电压。 |
| VCIS |
See 跨导放大器
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VCO
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压控振荡器：一种振荡器，其输出频率与输入电压成正比。 |
| VCOs |
See VCO
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VCSEL
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垂直腔面发射激光器。 |
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VCTCXO
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压控、温补晶振：可以用模拟电压控制振荡频率的TCXO。 |
| VCTXO |
See VCTCXO
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VCXO
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压控晶体振荡器：利用晶体建立振荡频率，而且，频率随模拟控制电压的变化而变化。 |
| Vdd |
See VCC
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VDSL
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甚高速数字用户链路：一种传输高速数字业务的方式，在音频电话线的标准双绞线中传输。VDSH工作速率为12.9Mbps至52.8Mbps。 |
| Vee |
See VCC
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| VERSAbus |
See VME
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| VERSAbus-E |
See VME
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| VERSAmodule Europe |
See VME
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| VERSAmodule Eurocard |
See VME
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| VERSAmodule European |
See VME
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| Vertical Standing Wave Ratio |
See VSWR
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| Very High Data-Rate Digital Subscriber Line |
See VDSL
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| Very large-scale integration |
See VLSI
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VFD
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真空荧光显示器。 |
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VFO
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变频振荡器。 |
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VGA
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可调增益放大器。 |
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VLF
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甚低频。 |
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VLIF
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超低中频。 |
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VLSI
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超大规模集成电路(LSI)表示在单芯片内集成了许多器件的IC或技术，问题的关键在于如何定义“许多”。
与集成电路相关的名词最初出现在1970年，例如：“SSI” (小规模)、“LSI” (大规模)等等，根据每个IC内部所包含的晶体管数量或门电路数量进行定义。但是，由于集成技术的迅猛发展，随着时间的推移这些数字已经毫无意义。另外，这些数字还与工艺有关 — 模拟器件的VLSI与数字器件的VLSI或存储器件的VLSI相差很大。
最终，当一些学者还在试图定义“ULSI” (甚大规模集成电路)的时候，工程师们则将精力投入到如何构建更好的器件上，而不再理会那些新名词的定义。
现在，LSI、VLSI已经被当作通用的代名词，用来表示主观上认为集成了较多器件(与同类典型产品相比)的产品或技术。Maxim/Dallas Semiconductor注意到模拟及混合信号更加复杂化的技术趋势，在我们的许多器件中都包含了复杂的控制器，例如：MAXQ微控制器核，与绝大多数模拟器件相比，集成器件的数量提高了许多倍。 |
| VMBus |
See VME
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VME
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VERSAmodule Eurocard或VMEBus，一种微机总线。标准规范在IEC 821、IEEE 1014-1987和ANSI/VITA 1-1994。 |
| VMEBus |
See VME
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| Voice over IP |
See VoIP
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VoIP
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IP电话：一种通过互联网传输语音(或传真)信号的方法。 |
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Volt
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伏特(或伏)：用于测量电动势(EMF)的单位，即两点之间的电势差。1伏特电势能够为1欧姆负载电阻提供1安培的电流驱动。
为便于理解，可以比作一个水泵，电压相当于水压、电流相当于流量(例如：公升/分钟)。
方程中通常用E表示电动势(表示为：E = IR)。V是测量单位的符号，表示伏特。 |
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Volt-Ampere
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伏安(VA)定义为馈送给负载的电压乘以电流，千伏安(kVA)为1000伏安。
电功率以瓦(W)为单位测量：定义为每个瞬间的电压乘以电流。对于直流系统或电阻负载，瓦特数与VA测量结果相同。而对于电抗负载，电压和电流的相位不同，VA指标将大于瓦特数。
为了确定功率，需要选择瓦特。为了确定驱动电路(例如：断路器、配线、不间断电源等)的能力，选择VA更合适。
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| voltage |
See 伏特
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| Voltage Controlled Crystal Oscillator |
See VCXO
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| voltage controlled current source |
See 跨导放大器
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| Voltage Controlled Oscillator |
See VCO
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| Voltage Controlled Temperature Compensated Crystal Oscillator |
See VCTCXO
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| Voltage Doubler |
See 电荷泵
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Voltage Margining
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设定输出电压高于或低于标称电压，这样，在所有负载情况下，输出电压都能保持在技术规范以内。 |
| Voltage Output Temperature Sensor |
See PWM温度传感器
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Voltage Regulator
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连接在电源和负载之间，输入电压或输出负载变化时能够提供稳定输出电压的电路。 |
| Voltage Regulator Module |
See VRM
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| Voltage Standing Wave Ratio |
See VSWR
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| Voltage Temperature Sensor |
See 模拟温度传感器
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| Voltage Tripler |
See 电荷泵
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| Voltage-Controlled Oscillator |
See VCO
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VOM
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欧姆电压表。 |
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Vp-p
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峰值电压。 |
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VRD
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电压降压调节器，一种Intel标准，用于母板上“降压”电压调节器。 |
| VRD10 |
See VRD
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| VRD10.1 |
See VRD
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| VRD10.2 |
See VRD
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| VRD10.X |
See VRD
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VRM
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电压调节模块：一种Intel标准，用于切换调节模块。 |
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VS
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VCO_SEL (控制位)。 |
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VSIA
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虚拟插槽接口联盟。 |
| Vss |
See VCC
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VSWR
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VSWR (电压驻波比，有时也称作垂直驻波比)，用来衡量无线信号通过功率源、传输线、最终进入负载(例如，功率放大器输出通过传输线，最终到达天线)的有效传输功率。
对于一个理想系统，传输能量为100%，需要源阻抗、传输线及其它连接器的特征阻抗、负载阻抗之间精确匹配。由于理想的传输过程不存在干扰，信号的交流电压在两端保持相同。
实际系统中，由于阻抗失配将会导致部分功率向信号源方向反射(如同一个回波)。反射引起相消干扰，沿着传输线在不同时间、距离产生电压波峰、波谷。
VSWR用于度量电压的变化，是传输线上最高电压与最低电压之比。由于理想系统中电压保持不变，所以，对应的VSWR是1:1。产生反射时，电压发生变化，VSWR增大 -- 例如：1.2:1或2:1。
计算：
VSWR是传输线上的电压比：
VSWR = |V(max)|/|V(min)|
其中，V(max)是传输线上信号电压的最大值，V(min)是传输线上信号电压的最小值。
也可以利用阻抗计算：
VSWR = (1+Γ)/(1-Γ)
其中，Γ是靠近负载端的电压反射系数，由负载阻抗(ZL)和源阻抗(Zo)确定：
Γ = (ZL-Zo)/(ZL+Zo)
如果负载与传输线完全匹配，Γ = 0，VSWR = 1:1。
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VU
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音量单位。 |
