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处理工艺和晶圆厂
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BiCMOS
| 工艺创新性 |
- 额定电压范围在3.3V至30V的器件工艺，如：0.35-µm逻辑，允许在单一硅片内集成精密的高压电路、EEPROM和闪存。
- 完全隔离的CMOS和双极型架构能够在混合模式电路设计中大大降低噪声，在同一裸片上集成高密度逻辑电路及高精度模拟电路。
- 精密的模拟元件，例如：双极型晶体管、激光微调薄膜电阻，能够产生高精度的模拟电路，例如：精度优于0.5%的基准。
- 高密度、阻值最高的薄膜电阻能够获得最低静态电流的产品。
- Maxim的BiCMOS工艺能够提供无与伦比的功能多样性，例如：在同一基底上集成高压元件、薄膜电阻、电容、非易失存储器和双极型晶体管。
- 采用低电介质系数K的覆铜材料能够在电源管理产品中集成更大电流的晶体管。
- 封装后调理可提供更高精度。
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| 应用 |
- 用于蜂窝电话和PDA的多功能电源管理
- 多电压电源管理
- 汽车电源管理器件
- 智能电池组
- 用于电信和数据通信卡的电压调节器
- 用于医疗产品的高精度A/D转换器
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