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BCDMOS

工艺创新性
  • 超高压、小尺寸晶体管具有高达250V的击穿电压。
  • 低导通电阻 ― 80V时仅为0.6-mm2 ― 能够集成多个低电阻功率FET。
  • 双金属层支持高达10A的电流。
  • 将薄膜、聚乙烯电容集成在硅片上能够实现高性能的模拟功能，例如，具有精密基准的大功率器件。
应用
  • 大功率转换器
  • 电信、数据通信、汽车电源
  • 计算机电源
  
不同产品


         


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