摘要：LDMOS RF功率放大器因其极高的性价比在GSM和CDMA基站市场占据了主导地位。使用LDMOS放大器时，保证高性能的一个关键因素是补偿栅极偏置电压，以在温度变化时保持恒定的静态电流。Dallas Semiconductor的DS1870偏置控制器是目前众多的LDMOS RF功放偏置方案中的一款。这篇应用笔记对采用DS4303实现模拟偏置方案进行了说明。 DS4303概述 DS4303 (图1)是采样和无限保持电压基准，可接受模拟输入电压并利用一个12位数/模转换器(DAC)在其输出端恢复该电压。一旦输出端恢复了输入电压，芯片将输出编码保存至EEPROM，产生非易失模拟基准电压。输出电压由内部低温度系数的基准产生，并通过满摆幅运放进行缓冲。 图1. DS4303功能框图 DS4303 LDMOS偏置电路 图2所示电路可用于对LDMOS的栅极电压进行温度补偿。该电路的输出电压等于DS4303的VOUT乘以2再加上PNP的VBE。经过两倍压后的DS4303电压是具有低温度系数的电压源。PNP管VBE的温度系数大约为+2mV/°C，为LDMOS提供温度补偿。假定PNP管与LDMOS具有良好的导热通道，则该电路可以为LDMOS提供良好的温度补偿。 为对该电路进行较准，将所要求的DS4303输出电压接至VIN引脚，并调节信号拉低以触发DS4303更新输出电压。一旦DS4303完成更新，采用电流检测放大器测量静态电流；并重复该过程，直到达到合适的偏置电压。必须保持连接到DS4303的输入稳定，以保证其输出电压达到正确数值。 图2. DS4303 LDMOS RF功放偏置电路 DS4303偏置电路与DS1870方案的比较 DS4303模拟电路解决方案的主要优势是简便、成本低。如果该电路靠近LDMOS放置，PNP管与LDMOS之间良好的导热通道可以使栅极电压随着温度正确变化。相对于查找表来说，该解决方案的另一优点是易于编程，因为编程针对的是单个温度偏置点。该方案在初始化编程完成后为全模拟方式，所以一旦系统校准完毕，更新查找表不会造成输出瞬变。 DS1870提供的方案可以实现灵活的校准过程，可针对不同应用进行定制。该芯片能够根据温度和漏极电压对LDMOS栅极电压进行偏置。可根据需要提供非线性或线性增益补偿。因为DS1870具有不同增益，即使芯片与LDMOS之间没有很好的导热通道，也可以进行有效的温度补偿。与其它混合信号LDMOS偏置电路不同，DS1870可由工厂编程，作为独立的偏置电路工作。通过I²C兼容的串行总线访问芯片内部的5路ADC，监控系统的运行状态；此外，还可以根据需要设置监控参数，产生报警信号，用来驱动处理器中断或关闭放大器。有关DS1870的详细资料，可从Maxim网站下载。 我们期待您的反馈！ 喜欢？不喜欢？有待改善？或为我们提供建议？请与我们联系 — 我们将根据您的意见或建议改善我们的工作。 网页评价或提供建议 自动更新 需要自动接收最新发布的应用笔记吗？请订阅EE-Mail™ (English only)。 更多信息   APP 3617: Jul 18, 2007 DS1870 LDMOS RF功放偏置控制器 完整的数据资料 (PDF, 1.0MB) 免费样品 DS4303 可编程电压基准 完整的数据资料 (PDF, 392kB) 免费样品 DS4305 可编程电压基准 完整的数据资料 (PDF, 308kB) 免费样品   下载，PDF格式 (39kB)  AN3617, AN 3617, APP3617, Appnote3617, Appnote 3617