摘要：DS3231/DS3232通过设置温度更新周期，能够在保持较高时钟精度的同时大大降低器件的电流损耗。 概述 随着DS3231超高精度、I²C*兼容的集成RTC/TCXO/晶振的推出, Dallas Semiconductor再次刷新了单芯片实时时钟精度的纪录。DS3231在整个工业温度范围内(-40°C至+85°C)提供±3.5ppm的精度。器件每隔64秒(64s)测量一次温度，通过调节晶体的负载电容，使其在指定温度达到0ppm的精度，最终达到提高时钟精度的目的。 电流损耗 周期性地测量温度使得器件在短时间内(最差情况下为200ms)的电流损耗增大。图1给出了DS3231在最差情况下的电流损耗，计算中假设电池电压为3.63V，I²C兼容接口不工作。 图1. DS3231在最差情况下的电流损耗 最大平均电流由下式决定： DS3231数据资料提供的最大平均电流是3.0µA，这一结果表明，由于温度检测使得器件的总电流损耗提高了250%！这一电流增量对于要求延长备用电源(如：锂电池或超级电容)工作时间的应用很难接受。 降低电流损耗 DS3232/DS3234在用户可编程寄存器中提供了一个域，允许用户延长温度更新的时间，从而降低平均电流损耗。两款器件在控制/状态寄存器中提供C_Rate位，用来设置四种不同的温度更新周期。寄存器定义如表1所示。 表1. 控制/状态寄存器位配置 Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 OSF BB32KHZ C_Rate1 C_Rate0 EN32kHz BSY A2F A1F 表2列出了DS3232/DS3234温度更新周期与最差情况下电流损耗的对应值。计算中假设电池电压为3.63V，I²C兼容接口不工作。C_Rate位上电时默认为0, 对应于64s的温度更新周期。 表2. 温度更新周期与最差情况下电流损耗的对应值 C_Rate [1:0] Temperature Update Time (s) DS3232/DS3234 Average Current (µA) 00 64 2.50 01 128 1.56 10 256 1.10 11 512 0.86 通过设置, 可以将备用电池的使用寿命延长65%。 精度 在温度变化较快的环境下，延长温度更新周期会降低时钟精度，但对温度保持稳定或温度变换缓慢的工作环境，对时钟精度的影响很小。 温度控制 DS3234加入了温度控制寄存器，当器件由备用电源供电时可以禁止温度更新。寄存器中的BB_TD位控制温度测量禁止。该位上电时的默认值为0，温度更新功能有效。寄存器定义如表3所示。 表3. 温度控制寄存器位配置 Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 0 0 0 0 0 0 0 BB_TD 该位使能后会降低备用电源的电流损耗，但是，由于没有温度更新，将会降低时钟精度。 结论 Dallas Semiconductor推出的DS3231/DS3232/DS3234集成RTC/TCXO/晶体通过设置温度更新周期，能够在保持较高时钟精度的同时大大降低电流损耗。 *购买Maxim Integrated Products, Inc.或其它经过认证的相关公司的I²C产品，需转让将这些产品用于I²C系统的Philips I²C专利许可协议，保证系统符合Philips定义的I²C标准规范。 我们期待您的反馈！ 喜欢？不喜欢？有待改善？或为我们提供建议？请与我们联系 — 我们将根据您的意见或建议改善我们的工作。 网页评价或提供建议 自动更新 需要自动接收最新发布的应用笔记吗？请订阅EE-Mail™ (English only)。 更多信息   APP 3644: Apr 07, 2006 DS3231 高精度、I²C接口、集成RTC/TCXO/晶振 完整的数据资料 (PDF, 824kB) 免费样品 DS3232 高精度、I²C RTC，集成晶体和SRAM 完整的数据资料 (PDF, 284kB) 免费样品 DS3234 高精度、SPI总线RTC，集成晶体和SRAM 完整的数据资料 (PDF, 300kB) 免费样品   下载，PDF格式 (38kB)  AN3644, AN 3644, APP3644, Appnote3644, Appnote 3644