•
•
•
DS2070W
3.3V、单芯片、16Mb非易失SRAM
业内首款、也是唯一的单芯片、可回流焊接的NV SRAM模块
概述
完整的数据资料
(PDF, 300kB)
英文
下载
DS2070W是16Mb、可回流焊非易失(NV) SRAM,该器件包括静态RAM (SRAM),NV控制器,以及内置的可充电锂锰(ML)电池。该系列器件封装在一个表面安装的256焊球BGA模块中。VCC 加电时,模块对ML电池充电,同时使用外部电源为SRAM供电,并允许修改SRAM的内容。当VCC 掉电或超出容限时,控制器立即对SRAM的内容实施写保护,并由电池为SRAM供电。DS2070W还含有一个电源监视器输出(/RST),可用于微处理器(CPU)监控。
关键特性
应用/使用
单片、可回流、27mm x 27mm的BGA封装
内置ML电池和充电器
当VCC 超出容限后,无条件对SRAM实施写保护
当VCC 失效后自动切换至电池供电
内置电源监视器检测电源是否低于VCC 额定值(3.3V)
复位输出可用作微处理器(CPU)监控
工业级温度范围(-40°C至+85°C)
经过UL认证
Key Specifications:
Memory (EPROM, SRAM, EEPROM, ROM, NV SRAM)
Part Number
Memory Type
Memory Size
Bus Type
Real-Time Clock
DIP with Internal Battery
PowerCap Package
Battery Monitor
With GPIO
Single Piece Module
Features
Supply Voltage (min) (V)
Supply Voltage (max) (V)
RoHS Available
Package
Smallest Available Package (max w/pins) (mm2 )
Operating Temp. Range (°C)
Price**
DS2070W
NV SRAM
2M x 8
Parallel
No
No
No
No
No
Yes
3
3.6
Yes
MOD/256
729
-40 to +85
$45.63 @ 1k
See All Memory (EPROM, SRAM, EEPROM, ROM, NV SRAM) (69)
Notes:
** This pricing is BUDGETARY, for comparing similar parts. Prices are in
U.S. dollars and subject to change. Quantity pricing may vary
substantially and international prices may differ due to local
duties, taxes, fees, and exchange rates. For volume-specific prices
and delivery, please see the price and availability page
or contact an authorized distributor.
2006-09-11
本页最后一次更新: 2006-12-07
隐私权政策
•
法律声明
© 2008 Maxim Integrated Products, Dallas Semiconductor版权所有